開(kāi)放式相控陣?yán)碚撆c應(yīng)用

第一章 概論
1.1 開(kāi)放式相控陣概念內(nèi)涵
1.2 開(kāi)放式相控陣系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用領(lǐng)域
1.3 開(kāi)放式相控陣技術(shù)發(fā)展歷程
1.4 典型開(kāi)放式相控陣系統(tǒng)
第二章 開(kāi)放式相控陣系統(tǒng)架構(gòu)
2.1 開(kāi)放式相控陣系統(tǒng)組成與邏輯框架
2.2 開(kāi)放式相控陣模塊化設(shè)計(jì)
2.3 開(kāi)放式相控陣可擴(kuò)展設(shè)計(jì)
第三章 開(kāi)放式相控陣陣面技術(shù)
3.1 相控陣天線陣面體制概述
3.2 子陣設(shè)計(jì)
3.3 陣面波束控制（波控）
3.4 陣面供電
3.5 分布式頻率源技術(shù)
3.6 分布式數(shù)字波束形成技術(shù)（含ADBFDBF）
3.7 寬帶多功能陣列技術(shù)
3.7.1 寬帶寬角輻射單元技術(shù)
3.7.2 寬帶收發(fā)射頻技術(shù)
3.7.3 寬帶數(shù)字收發(fā)技術(shù)
3.7.4 高精度定時(shí)同步技術(shù)
3.7.5 寬帶信號(hào)預(yù)失真補(bǔ)償
3.8 陣面監(jiān)測(cè)校準(zhǔn)技術(shù)
第四章 開(kāi)放式相控陣處理技術(shù)
4.1 概述
4.2 自適應(yīng)干擾對(duì)抗技術(shù)（包括對(duì)抗博弈）
4.2.1 開(kāi)放式相控陣干擾對(duì)抗框架
4.2.2 有源相控陣電磁環(huán)境感知
4.2.3自適應(yīng)可重構(gòu)波束形成抗主瓣干擾技術(shù)
4.2.4 自適應(yīng)極化抗主瓣干擾技術(shù)
4.2.5 發(fā)射主動(dòng)抗干擾技術(shù)
4.2.6 有源相控陣抗干擾效能評(píng)估
4.3 智能目標(biāo)識(shí)別技術(shù)
4.3.1 智能目標(biāo)識(shí)別框架
4.3.2 特征識(shí)別維度
4.3.3 特征提取方法
4.3.4基于特征的識(shí)別方法
第五章 開(kāi)放式相控陣資源調(diào)度技術(shù)
5.1 開(kāi)放式相控陣資源調(diào)度框架
5.2 相控陣?yán)走_(dá)探測(cè)任務(wù)規(guī)劃
5.3開(kāi)放式相控陣多維度資源表征
5.4 開(kāi)放式相控陣?yán)走_(dá)自適應(yīng)資源調(diào)度
第六章 開(kāi)放式相控陣微系統(tǒng)技術(shù)
6.1 微系統(tǒng)集成無(wú)源電路
6.1.1 AIP
6.1.2 微同軸饋線延時(shí)線
6.1.3 濾波器6.2 微系統(tǒng)集成有源電路
6.2.1 TR組件集成
6.2.2 變頻通道集成
6.2.3 數(shù)字通道集成
6.3 芯片級(jí)系統(tǒng)集成技術(shù)
6.3.1 幅相多功能SOC集成
6.3.2 數(shù)字通道SOC集成
6.3.3 變頻通道SOC集成
6.4 微系統(tǒng)工藝技術(shù)
6.5 微系統(tǒng)集成相控陣的應(yīng)用
第七章 未來(lái)發(fā)展展望
7.1 開(kāi)放式相控陣發(fā)展趨勢(shì)
7.2 開(kāi)放式相控陣新體制與新技術(shù)
7.2.1 微波光子技術(shù)
7.2.2 柔性電子技術(shù)
7.2.3 共形可承載技術(shù)
7.2.3 亞毫米波與THz技術(shù)
7.2.4 軟件化技術(shù)參考文獻(xiàn)