微波和太赫茲波段復(fù)介電常數(shù)與復(fù)磁導(dǎo)率測(cè)量技術(shù)

　　材料在微波和THz波段的復(fù)介電常數(shù)與復(fù)磁導(dǎo)率是各種應(yīng)用系統(tǒng)如無(wú)線通信、雷達(dá)、微波遙感成像和射電天文等的關(guān)鍵基本設(shè)計(jì)參數(shù)之一。微波和THz波段的復(fù)介電常數(shù)與復(fù)磁導(dǎo)率的測(cè)量方法與技術(shù)就成為制約這些領(lǐng)域的關(guān)鍵瓶頸之一，基于不同測(cè)試原理的各種測(cè)量方法與技術(shù)層出不窮。在眾多測(cè)量方法中，二端口傳輸線法（Two-Port Transmission Line Method，T-PTLM）以簡(jiǎn)單、寬帶和精度適中的優(yōu)勢(shì)被廣泛應(yīng)用。其核心是如何有效并精準(zhǔn)地從傳輸/反射（Transmission/Reflection，T/R）、僅反射（Reflection-Only，R-O）或僅傳輸（Transmission-Only，T-O）測(cè)試得到的S參數(shù)中提取出待測(cè)材料不同頻率點(diǎn)的復(fù)介電常數(shù)與復(fù)磁導(dǎo)率值。在全面總結(jié)文獻(xiàn)中現(xiàn)有的各種提取方法與技術(shù)基礎(chǔ)上，針對(duì)目前文獻(xiàn)中主流提取方法與技術(shù)的不足，提出了獨(dú)特的解決方式，以克服這些不足。依據(jù)S參數(shù)的測(cè)試方法和測(cè)試材料的層數(shù)，將本文工作分為三個(gè)部分，研究?jī)?nèi)容及其創(chuàng)新點(diǎn)總結(jié)如下：1. 針對(duì)基于T/R測(cè)試提取單層平板材料復(fù)介電常數(shù)廣泛存在的諧振、多解和受到樣品測(cè)試位置影響三大難題，首先依據(jù)電磁場(chǎng)理論提出新型解析提取方法，完善了抑制解析提取諧振的理論；然后創(chuàng)造性地提出一種計(jì)算復(fù)雜度低的組合提取方法，同時(shí)解決了這三大難題。實(shí)驗(yàn)和仿真驗(yàn)證了提出的方法。2. 針對(duì)基于T/R測(cè)試提取襯底上薄膜和平板間粉末/顆粒材料復(fù)介電常數(shù)與復(fù)磁導(dǎo)率尚存的不足之處，拓展上述基于電磁場(chǎng)理論的方法，提出計(jì)算復(fù)雜度低且同時(shí)適用于TE10和TEM波傳輸線測(cè)試的解析提取方法。解決了襯底上薄膜復(fù)介電常數(shù)與復(fù)磁導(dǎo)率提取多解問(wèn)題和平板間粉末/顆粒復(fù)介電常數(shù)提取諧振問(wèn)題。實(shí)驗(yàn)和仿真驗(yàn)證了提出的方法。3. 對(duì)于T/R測(cè)試無(wú)法實(shí)施或無(wú)效時(shí)必須應(yīng)用的R-O和T-O測(cè)試，通常只用于單層平板材料。針對(duì)基于R-O測(cè)試的提取方法與技術(shù)尚存的兩個(gè)不足之處，首先詳細(xì)分析反射系數(shù)方程解決了復(fù)介電常數(shù)提取多解問(wèn)題，然后應(yīng)用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)消除了樣品測(cè)試位置對(duì)提取的影響；針對(duì)基于T-O測(cè)試提取樣品THz波段復(fù)介電常數(shù)存在的初值估計(jì)問(wèn)題，提出基于傳輸系數(shù)的介電常數(shù)估算模型，解決了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)驗(yàn)和仿真驗(yàn)證了提出的方法和技術(shù)。

　　楊闖，男 北京郵電大學(xué)網(wǎng)絡(luò)與交換技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室特聘副研究員，博士生導(dǎo)師，中國(guó)科協(xié)青年人才托舉工程入選者，從事微波太赫茲通信理論與技術(shù)研究，已一作/通信發(fā)表學(xué)術(shù)期刊論文20余篇，主持國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課等科研項(xiàng)目。