晶圓級應變SOI技術(shù)

　　進入21世紀以來， 應變硅和SOI（Silicon-On-Insulator， 絕緣體上硅）被公認為是深亞微米和納米工藝制程維持摩爾定律（Moore’s Law）和后摩爾定律的兩大關(guān)鍵技術(shù)， 也被稱為21世紀的硅集成電路技術(shù)。本書共分7章， 主要介紹SOI晶圓制備技術(shù)、SOI晶圓材料力學特性與結(jié)構(gòu)特性、機械致晶圓級單軸應變SOI技術(shù)、高應力氮化硅薄膜致晶圓級應變SOI技術(shù)及其相關(guān)效應、高應力氮化硅薄膜致晶圓級應變SOI晶圓制備、晶圓級應變SOI應變模型、晶圓級應變SOI應力分布的有限元計算。本書主要面向硅基應變半導體理論與技術(shù)領(lǐng)域的研究者， 同時也可作為本科微電子科學與工程專業(yè)和研究生微電子學與固體電子學專業(yè)相關(guān)課程的教學參考書。

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