電感耦合等離子體光譜與質(zhì)譜分析技術(shù)

第1章　概述 001
1.1　等離子體的概念、特性及類型 001
1.1.1　等離子體的概念 001
1.1.2　等離子體的物理特性 002
1.1.3　等離子體的類型 002
1.2　無機分析中的等離子體概念 003
1.3　無機分析中的電感耦合等離子體 004
1.4　電感耦合等離子體光譜與質(zhì)譜分析技術(shù) 005
1.4.1　ICP-OES的分析特點 006
1.4.2　ICP-MS的分析特點 006
第2章　電感耦合等離子體 008
2.1　電感耦合等離子體的生成 008
2.1.1　ICP焰炬的形成過程 008
2.1.2　ICP焰炬的形成條件 009
2.1.3　ICP焰炬形狀與趨膚效應(yīng) 010
2.1.4　ICP焰炬形狀與高頻頻率 010
2.2　ICP的炬管結(jié)構(gòu)及工作氣體 011
2.2.1　ICP的炬管結(jié)構(gòu) 011
2.2.2　ICP的工作氣體 012
2.3　ICP光源、離子源及焰炬的特性 013
2.3.1　ICP光源的特性 013
2.3.2　ICP離子源的特性 014
2.3.3　ICP焰炬的溫度特性及分布 015
2.4　ICP光譜光源與質(zhì)譜離子源的異同 017
2.4.1　ICP光譜激發(fā)光源的分析特性 017
2.4.2　ICP質(zhì)譜離子源的分析特性 017
2.5　光譜光源與質(zhì)譜離子源的分析特點及互補性 018
2.5.1　ICP-OES分析的依據(jù)及過程 018
2.5.2　ICP-OES分析方法的優(yōu)點與不足 018
2.5.3　ICP-MS分析的依據(jù)及過程 019
2.5.4　ICP-MS分析方法的優(yōu)點與不足 019
2.5.5　ICP-OES/MS的互補性 020
第3章　ICP-OES/MS分析的儀器設(shè)備 022
3.1　ICP-OES/MS的通用設(shè)備 022
3.1.1　高頻發(fā)生器 022
3.1.2　等離子體炬管 026
3.1.3　進樣系統(tǒng) 029
3.2　ICP-OES分析儀器設(shè)備 039
3.2.1　激發(fā)光源 039
3.2.2　分光系統(tǒng) 042
3.2.3　檢測系統(tǒng) 053
3.2.4　計算機及電控系統(tǒng) 060
3.2.5　光譜干擾校正系統(tǒng) 061
3.2.6　ICP-OES儀器性能的要求和判斷 062
3.3　ICP-MS分析儀器設(shè)備 064
3.3.1　ICP離子源 064
3.3.2　接口及離子光學(xué)系統(tǒng) 065
3.3.3　四極桿質(zhì)量分析器 070
3.3.4　質(zhì)譜干擾消除系統(tǒng) 071
3.3.5　離子檢測器 074
3.3.6　數(shù)據(jù)處理系統(tǒng) 074
3.3.7　輔助系統(tǒng) 075
3.3.8　ICP-MS儀器性能要求及測試方法 076
3.4　ICP-OES/MS分析的常規(guī)儀器 076
3.4.1　常規(guī)ICP-OES商品儀器 076
3.4.2　常規(guī)ICP-MS商品儀器 077
第4章　ICP-OES/MS分析的進樣方式與標(biāo)準(zhǔn)制備 079
4.1　進樣方式 079
4.1.1　液體進樣方式 079
4.1.2　固體進樣方式 080
4.1.3　氣體進樣方式 080
4.1.4　其他進樣方式 081
4.2　樣品前處理 081
4.2.1　分析樣品要求 081
4.2.2　分析用試劑 082
4.2.3　分析試液的制備 083
4.2.4　各種類型試樣的分析試液制備 085
4.2.5　形態(tài)分析樣品的前處理 087
4.3　標(biāo)準(zhǔn)溶液制備 088
第5章　ICP-OES分析操作技術(shù) 090
5.1　實驗準(zhǔn)備 090
5.1.1　ICP-OES進樣裝置設(shè)定 090
5.1.2　分析試樣的準(zhǔn)備 091
5.1.3　標(biāo)準(zhǔn)校正樣品的選擇 091
5.1.4　ICP-OES分析程序文件的設(shè)定 091
5.2　儀器操作 092
5.2.1　日常分析操作事項 092
5.2.2　ICP-OES儀器主要操作條件的選擇 097
5.2.3　儀器檢定與維護 102
5.2.4　樣品分析結(jié)果的質(zhì)量控制 104
5.3　ICP-OES的分析測定方法 106
5.3.1　多元素直接測定 106
5.3.2　分離-富集測定 106
5.3.3　無機物料的測定 108
5.3.4　有機物料測定 108
5.4　ICP-OES應(yīng)用技巧 109
5.4.1　儀器選用 109
5.4.2　分析方法選用 109
5.4.3　儀器應(yīng)用擴展 110
5.5　ICP-OES法在各個領(lǐng)域中的應(yīng)用 110
5.5.1　在無機材料及化合物分析中的應(yīng)用 111
5.5.2　在地質(zhì)資源與礦物材料分析中的應(yīng)用 116
5.5.3　在水質(zhì)、環(huán)境樣品分析中的應(yīng)用 118
5.5.4　在生化樣品與藥物分析中的應(yīng)用 121
5.5.5　在石油化工產(chǎn)品及能源樣品分析中的應(yīng)用 122
5.5.6　在食品分析中的應(yīng)用 125
5.5.7　在元素形態(tài)分析中的應(yīng)用 125
5.5.8　在電子電器、輕工產(chǎn)品分析中的應(yīng)用 126
第6章　ICP-MS分析操作技術(shù) 128
6.1　實驗準(zhǔn)備 128
6.1.1　ICP-MS進樣裝置設(shè)定 128
6.1.2　質(zhì)譜分析樣品前處理 129
6.1.3　質(zhì)譜分析用校正樣品選擇 129
6.1.4　ICP-MS測定方法的建立 129
6.2　儀器操作 130
6.2.1　儀器操作及使用要求 130
6.2.2　分析操作條件的設(shè)定 132
6.2.3　分析方法建立及標(biāo)準(zhǔn)曲線繪制 135
6.2.4　樣品分析及結(jié)果質(zhì)量控制 136
6.2.5　儀器檢定與維護 136
6.3　ICP-MS分析方法 141
6.3.1　ICP-MS元素含量及同位素比值分析 141
6.3.2　元素形態(tài)分析技術(shù) 146
6.3.3　單顆粒分析技術(shù) 148
6.3.4　分析通則 148
6.4　ICP-MS分析準(zhǔn)確度影響因素及解決辦法 151
6.4.1　ICP-MS分析準(zhǔn)確度檢驗方法 151
6.4.2　樣品處理過程的影響及解決辦法 152
6.4.3　樣品分析測定過程的影響 154
6.4.4　分析方法的選擇及可靠性的判斷方法 155
6.5　ICP-MS在無機分析上的應(yīng)用技巧 155
6.5.1　儀器選用 155
6.5.2　分析方法采用 156
6.5.3　儀器應(yīng)用擴展 156
6.6　ICP-MS在各個領(lǐng)域中的應(yīng)用 157
6.6.1　在地質(zhì)和礦物樣品分析中的應(yīng)用 157
6.6.2　在金屬材料及金屬氧化物分析中的應(yīng)用 167
6.6.3　在環(huán)境樣品分析中的應(yīng)用 176
6.6.4　在食品醫(yī)藥和生化樣品分析中的應(yīng)用 191
6.6.5　在有機產(chǎn)品分析中的應(yīng)用 207
6.6.6　在元素價態(tài)和形態(tài)分析中的應(yīng)用 218
6.6.7　在現(xiàn)場在線分析中的應(yīng)用 236
第7章　ICP光譜/ICP質(zhì)譜儀器進展與應(yīng)用前景 242
7.1　ICP光譜分析儀器的進展 242
7.1.1　ICP發(fā)射光譜儀的現(xiàn)狀 242
7.1.2　ICP光譜分析儀器的技術(shù)動態(tài) 243
7.2　ICP質(zhì)譜分析儀器的進展 246
7.2.1　碰撞/反應(yīng)池技術(shù)ICP-MS 246
7.2.2　三重四極桿ICP-MS 246
7.2.3　應(yīng)用新進展 247
7.2.4　展望 249
7.3　ICP-OES/MS在國家標(biāo)準(zhǔn)及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)上的應(yīng)用 250
7.3.1　現(xiàn)行的有關(guān)ICP-OES標(biāo)準(zhǔn) 250
7.3.2　現(xiàn)行的有關(guān)ICP-MS標(biāo)準(zhǔn) 261
附錄 273
附錄1  ICP-OES分析常用光譜線 273
附錄2  ICP-MS常用分析質(zhì)量數(shù) 278
附錄3  GB/T 34826—2017《四極桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀性能的測定方法》 282
參考文獻 287