功率半導(dǎo)體器件

定　價：￥79.00

作　者：	關(guān)艷霞，劉斌，吳美樂，盧雪梅
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111727743	出版時間：	2023-06-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導(dǎo)體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導(dǎo)體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎(chǔ)上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開關(guān)器件，主要分為傳統(tǒng)開關(guān)器件和現(xiàn)代開關(guān)器件，傳統(tǒng)開關(guān)器件以晶閘管為主，在此基礎(chǔ)上，介紹以GTO晶閘管為主的派生器件；現(xiàn)代功率開關(guān)器件以功率MOSFET和IGBT為主。第4部分為功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用綜述，以脈沖寬度調(diào)制（PWM）為例說明如何根據(jù)器件的額定電壓和電路的開關(guān)頻率選擇適合應(yīng)用的最佳器件。本書適合電子科學(xué)、電力電子及電氣傳動、半導(dǎo)體及集成電路等專業(yè)技術(shù)人員參考，也可作為相關(guān)專業(yè)本科生及研究生教材。本書配有教學(xué)視頻（掃描書中二維碼直接觀看）及電子課件等教學(xué)資源，需要配套資源的教師可登錄機械工業(yè)出版社教育服務(wù)網(wǎng)www.cmpedu.com免費注冊后下載。

作者簡介

暫缺《功率半導(dǎo)體器件》作者簡介

圖書目錄

前言
第1章緒論1
11電力電子器件和電力電子學(xué)1
12功率半導(dǎo)體器件的定義1
13功率半導(dǎo)體器件的種類2
14功率整流管3
141單極型功率二極管3
142雙極型功率二極管4
15功率半導(dǎo)體開關(guān)器件5
151晶閘管類功率半導(dǎo)體器件5
152雙極型功率晶體管7
153功率MOSFET7
154IGBT8
16硅功率集成電路9
17碳化硅功率開關(guān)11
18功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展12
181功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程12
182功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢12
參考文獻13
第2章單極型功率二極管14
21功率肖特基二極管14
211功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)14
212正向?qū)顟B(tài)15
213反向阻斷特性18
22結(jié)勢壘控制肖特基（JBS）二極管20
221JBS二極管的結(jié)構(gòu)20
222正向?qū)Ｐ?2
223反向漏電流模型30
23溝槽肖特基勢壘控制肖特基（TSBS）二極管43
24溝槽MOS勢壘控制肖特基（TMBS）二極管44
參考文獻46
第3章雙極型功率二極管47
31PiN二極管的結(jié)構(gòu)與靜態(tài)特性47
311PiN二極管的結(jié)構(gòu)47
312PiN二極管的反向耐壓特性48
313PiN二極管通態(tài)特性49
32碳化硅PiN二極管59
33PiN二極管的動態(tài)特性60
331PiN二極管的開關(guān)特性61
332PiN二極管的動態(tài)反向特性63
34PiN二極管反向恢復(fù)過程中電流的瞬變67
35現(xiàn)代PiN二極管的設(shè)計70
351有軸向載流子壽命分布的二極管70
352SPEED結(jié)構(gòu)72
36MPS二極管73
361MPS二極管的工作原理74
362碳化硅MPS整流器91
363反向阻斷特性99
364開關(guān)特性107
參考文獻109
第4章晶閘管110
41概述110
411晶閘管基本結(jié)構(gòu)和基本特性110
412基本工作原理112
42晶閘管的耐壓能力113
421PNPN結(jié)構(gòu)的反向轉(zhuǎn)折電壓113
422PNPN結(jié)構(gòu)的正向轉(zhuǎn)折電壓115
423晶閘管的高溫特性117
43晶閘管最佳阻斷參數(shù)的確定119
431最佳正、反向阻斷參數(shù)的確定119
432λ因子設(shè)計法121
433關(guān)于阻斷參數(shù)優(yōu)化設(shè)計法的討論123
434P2區(qū)相關(guān)參數(shù)的估算124
435表面耐壓和表面造型126
44晶閘管的門極特性與門極參數(shù)的計算128
441晶閘管的觸發(fā)方式128
442門極參數(shù)131
443門極觸發(fā)電流、觸發(fā)電壓的計算132
444中心放大門極觸發(fā)電流、電壓的計算134
45晶閘管的通態(tài)特性137
451通態(tài)特征分析137
452計算晶閘管正向壓降的模型138
453正向壓降的計算140
46晶閘管的動態(tài)特性144
461晶閘管的導(dǎo)通過程與特性144
462通態(tài)電流臨界上升率152
463斷態(tài)電壓臨界上升率155
464關(guān)斷特性157
47晶閘管的派生器件162
471快速晶閘管163
472雙向晶閘管164
473逆導(dǎo)晶閘管169
474門極關(guān)斷（GTO）晶閘管174
475門極換流晶閘管193
參考文獻194
第5章現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件195
51功率MOSFET195
511功率MOSFET的結(jié)構(gòu)195
512功率MOSFET的基本特性197
513VDMOSFET的導(dǎo)通電阻198
514VDMOSFET元胞的優(yōu)化203
515VDMOSFET阻斷電壓影響因素分析204
516功率MOSFET的開關(guān)特性205
52絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）210
521IGBT的基本結(jié)構(gòu)210
522IGBT的工作原理與輸出特性212
523IGBT的阻斷特性213
524IGBT的通態(tài)特性215
525IGBT的開關(guān)特性220
526擎住效應(yīng)226
參考文獻228
第6章功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用綜述229
61典型H橋拓撲230
62低直流總線電壓下的應(yīng)用232
63中等直流總線電壓下的應(yīng)用234
64高直流總線電壓下的應(yīng)用235
參考文獻237