發(fā)明專利實審答復案例精選

定　價：￥46.00

作　者：	李文紅，吳敏著
出版社：	知識產(chǎn)權(quán)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787513081214	出版時間：	2022-07-01	包裝：	平裝
開本：	32開	頁數(shù)：	236	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書從“實戰(zhàn)”出發(fā)，將邏輯推導、法律依據(jù)等作為發(fā)明專利實審答復中的核心要素，借助不同案例，對發(fā)明專利實質(zhì)審查過程中遇到的不同問題，從新穎性、創(chuàng)造性及其他問題三個方面結(jié)合具體專利法規(guī)進行分析，并對如何修改及意見答復提出合適的處理方式。

作者簡介

　　李文紅， 2000年開始從事知識產(chǎn)權(quán)工作。作為北京市集佳律師事務所的高級合伙人，參與創(chuàng)辦上海分所。為多家業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)處理專利國內(nèi)外申請、專利侵權(quán)訴訟、專利復審無效等事務，為多家行業(yè)協(xié)會、企業(yè)、政府部門等出具知識產(chǎn)權(quán)咨詢報告。參與國家社會科學基金項目和國家自然科學基金項目多項，負責九三學社上海市委重點課題多項。合著有《3D打印產(chǎn)業(yè)的知識產(chǎn)權(quán)問題研究》，作為主要主編或者主譯已合作出版編著和譯著五部，發(fā)表多篇專業(yè)文章。擔任上海市法學會知識產(chǎn)權(quán)法研究會理事，上海市知識產(chǎn)權(quán)民事糾紛專業(yè)調(diào)解委員會調(diào)解員，同濟大學中歐創(chuàng)新政策與法律研究中心兼職研究員，上海大學法學院知識產(chǎn)權(quán)應用研究中心特邀研究員，華東政法大學、上海交通大學凱原法學院法律碩士兼職導師，華東師范大學上海國際首席技術(shù)官學院產(chǎn)業(yè)導師。吳敏， 2006年加入集佳，開始從事知識產(chǎn)權(quán)工作，在半導體、光電及機械領(lǐng)域的專利代理事務方面積累豐富經(jīng)驗。從業(yè)期間處理過專利申請、專利復審無效、專利檢索分析等事務；為多家企業(yè)提供知識產(chǎn)權(quán)咨詢服務，幫助客戶進行技術(shù)挖掘、專利布局等，協(xié)助客戶了解行業(yè)*新技術(shù)動態(tài)及發(fā)展趨勢以制定專利戰(zhàn)略；曾應邀為企業(yè)及高校提供專利方面的培訓，并在《知識產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略與實務》發(fā)表文章《從復審案例談專利創(chuàng)造性評價中的事實認定》，在公司期刊發(fā)表文章《結(jié)合案例談公知常識相關(guān)審查意見的答復》?，F(xiàn)擔任上海大學法學院知識產(chǎn)權(quán)應用研究中心特邀研究員，上海應用技術(shù)大學中歐知識產(chǎn)權(quán)學院兼職教授。

圖書目錄

目錄
第一章
涉及新穎性問題的答復案例
第一節(jié) 新穎性的判斷
案例1互連結(jié)構(gòu)及其制造方法
第二節(jié) 關(guān)于新穎性評價中抵觸申請的問題
案例2 LDMOS晶體管的形成方法及LDMOS晶體管
第三節(jié) 新穎性評價中區(qū)別技術(shù)特征的認定
案例3封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
第二章涉及創(chuàng)造性問題的答復案例
第一節(jié) 公知常識或慣用技術(shù)手段
案例4摻氟的氧化硅薄膜的形成方法
案例5互連結(jié)構(gòu)的形成方法
案例6半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例7晶體管的形成方法
第二節(jié) 技術(shù)方案的理解
案例8半導體器件及其形成方法
案例9半導體結(jié)構(gòu)的形成方法
案例10驅(qū)動電路的數(shù)據(jù)維持方法和裝置
案例11 MOCVD設備的噴淋頭及其制作方法
案例12半導體互連結(jié)構(gòu)及形成方法
案例13半導體器件的制造方法
第三節(jié) 區(qū)別技術(shù)特征或技術(shù)特征的認定
案例14自對準多重圖形的形成方法
案例15壓力傳感器及其形成方法
案例16半導體器件
案例17半導體器件及其形成方法
案例18半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例19金屬互連層的制造方法
案例20多指條形GGNMOS
案例21銅互連線的形成方法和介質(zhì)層的處理方法
案例22光學指紋傳感器和電子產(chǎn)品
案例23非接觸通信裝置
案例24重復利用半導體芯片的方法
案例25芯片及其制造方法、晶圓結(jié)構(gòu)
第四節(jié) 是否存在技術(shù)啟示
案例26制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法
案例27互連結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例28互連結(jié)構(gòu)的形成方法
案例29半導體器件的形成方法
案例30封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例31導電結(jié)構(gòu)的形成方法
案例32介質(zhì)層的形成方法
案例33清洗焊盤的方法
案例34鰭式場效應管的形成方法及半導體結(jié)構(gòu)
案例35P型MOS晶體管及其形成方法
案例36等效信道矩陣計算方法及裝置
案例37知識檢索方法及裝置、存儲介質(zhì)、服務器
第五節(jié) 方法限定結(jié)構(gòu)及功能性限定
案例38鰭式場效應管及其形成方法
案例39指紋成像模組和電子設備
案例40射頻發(fā)射電路、發(fā)射機及用戶終端
第三章涉及其他問題的答復案例
第一節(jié) 有關(guān)《專利法》第26條第4款
案例41半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例42電子設備
案例43半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法
案例44半導體器件的形成方法
第二節(jié) 缺少解決技術(shù)問題的必要技術(shù)特征
案例45液晶顯示裝置的顯示方法
參與編撰人員簡介