氮化鋁單晶材料生長(zhǎng)與應(yīng)用

　　氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，參考國(guó)內(nèi)外的Z新研究成果，詳細(xì)介紹了氮化鋁單晶材料生長(zhǎng)與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、Z新進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長(zhǎng)的物理基礎(chǔ)，物理氣相傳輸法、氫化物氣相外延法、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法制備氮化鋁單晶和氮化鋁器件應(yīng)用。 本書基于翔實(shí)的數(shù)據(jù)，對(duì)氮化鋁單晶材料生長(zhǎng)的技術(shù)方法及應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展進(jìn)行了討論，注重專業(yè)性和系統(tǒng)性，具有簡(jiǎn)明、扼要等特點(diǎn)，可供從事相關(guān)研究的科研和工程技術(shù)人員閱讀，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的參考教材。

暫缺《氮化鋁單晶材料生長(zhǎng)與應(yīng)用》作者簡(jiǎn)介