瞬態(tài)電離輻射激勵強電磁脈沖

第1章緒論
1.1引言
1.2核爆炸產(chǎn)生的電磁脈沖
1.3輻射模擬裝置產(chǎn)生的電磁脈沖
1.4強電磁脈沖國際標(biāo)準(zhǔn)
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第2章電離輻射的種類及其與物質(zhì)的相互作用
2.1基本概念和術(shù)語
2.1.1原子的結(jié)構(gòu)
2.1.2電離輻射的能量
2.2電離輻射的種類
2.2.1常見電離輻射的種類及屬性
2.2.2常見的瞬態(tài)電離輻射來源
2.3帶電粒子與物質(zhì)的相互作用
2.3.1帶電粒子與物質(zhì)的相互作用概述
2.3.2重帶電粒子與物質(zhì)的相互作用
2.3.3快電子與物質(zhì)的相互作用
2.4光子與物質(zhì)的相互作用
2.4.1作用截面
2.4.2光電效應(yīng)
2.4.3康普頓效應(yīng)
2.4.4電子對效應(yīng)
2.4.5三種效應(yīng)的比較
2.4.6γ射線窄束的衰減規(guī)律
2.5中子與物質(zhì)的相互作用
2.5.1中子的分類
2.5.2宏觀截面和平均自由程
2.5.3彈性散射
2.5.4非彈性散射
2.5.5中子與空氣的相互作用
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第3章時域有限差分算法
3.1研究背景與現(xiàn)狀
3.2時域有限差分方程
3.2.1直角坐標(biāo)系差分公式
3.2.2收斂性和穩(wěn)定性分析
3.2.3柱坐標(biāo)系差分公式
3.3吸收邊界條件
3.3.1Mur吸收邊界
3.3.2完全匹配層吸收邊界
3.4時偏FDTD算法
參考文獻(xiàn)
 
 
第4章PIC粒子模擬算法
4.1研究背景與現(xiàn)狀
4.2粒子推動方程
4.3電磁場與粒子的耦合
4.4電流密度的數(shù)學(xué)表達(dá)
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第5章高空核爆炸激勵電磁脈沖的物理機理與規(guī)律
5.1核爆電磁脈沖物理機理
5.1.1核爆炸γ輻射源
5.1.2γ射線與物質(zhì)相互作用的衰減規(guī)律
5.1.3康普頓效應(yīng)
5.2高空核爆炸向地面產(chǎn)生的電磁脈沖
5.2.1早期HEMPE1的數(shù)值模擬
5.2.2結(jié)論
5.3高空核爆炸向衛(wèi)星軌道產(chǎn)生的色散電磁脈沖
5.3.1爆心附近核電磁脈沖環(huán)境
5.3.2爆高的影響
5.3.3爆炸當(dāng)量的影響
5.3.4電離層對電磁脈沖信號的影響
5.3.5高頻電磁波通過電離層的衰減
5.3.6衛(wèi)星軌道電場峰值
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第6章腔體系統(tǒng)電磁脈沖的物理機理與規(guī)律
6.1研究背景與現(xiàn)狀
6.2腔體內(nèi)SGEMP仿真模型
6.2.1二維仿真模型
6.2.2三維仿真模型
6.3二維模型的仿真結(jié)果及規(guī)律
6.3.1典型的時域波形
6.3.2X射線能注量的影響
6.3.3X射線脈沖寬度的影響
6.3.4X射線能量的影響
6.4三維模型的仿真結(jié)果及規(guī)律
6.4.1典型的時域波形
6.4.2腔體內(nèi)SGEMP的空間分布
6.4.3腔體內(nèi)SGEMP的頻率特性
6.5腔體外部SGEMP的仿真結(jié)果及規(guī)律
6.5.1研究現(xiàn)狀
6.5.2三維仿真結(jié)果及規(guī)律
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第7章線纜系統(tǒng)電磁脈沖的物理機理與規(guī)律
7.1研究背景與現(xiàn)狀
7.2線纜系統(tǒng)電磁脈沖的物理機理
7.3時域有限差分法的仿真結(jié)果與規(guī)律
7.3.1時域有限差分方程
7.3.2仿真結(jié)果與規(guī)律
7.4傳輸線 有限元方法仿真結(jié)果及規(guī)律
7.4.1簡化模型
7.4.2有限元法
7.4.3仿真結(jié)果與規(guī)律
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第8章源區(qū)電磁脈沖的物理機理與規(guī)律
8.1研究背景與現(xiàn)狀
8.2地面核爆炸SREMP理論分析
8.2.1早期波過程
8.2.2飽和擴散過程
8.2.3后期準(zhǔn)靜態(tài)過程
8.3靶室房間SREMP數(shù)值模擬
8.3.1靶室房間SREMP仿真模型
8.3.2靶室房間SREMP仿真結(jié)果及規(guī)律
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第9章激光慣性約束裝置的強電磁脈沖
9.1激光慣性約束裝置強電磁脈沖的分類
9.2靶室內(nèi)電磁脈沖
9.2.1激光打靶中的電磁脈沖現(xiàn)象
9.2.2超熱電子產(chǎn)生電磁脈沖的主要機制
9.2.3超熱電子激勵電磁脈沖模擬
9.3能庫電磁脈沖的實驗研究
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第10章瞬態(tài)強電磁脈沖測量
10.1DDot傳感器
10.1.1DDot電場傳感器原理
10.1.2等效電荷法用于DDot探頭形狀設(shè)計
10.1.3DDot傳感器尺寸設(shè)計
10.2Efield傳感器
10.2.1Efield電場傳感器原理
10.2.2傳感器信號接收電路
10.2.3電光調(diào)制電路
10.2.4光接收機
10.3BDot磁場傳感器
10.3.1SSL磁場傳感器
10.3.2MSL磁場傳感器
10.3.3CML磁場傳感器
10.4MGL磁場傳感器
10.4.1差模MGL傳感器
10.4.2共模MGL傳感器
10.5瞬態(tài)強電磁脈沖測量系統(tǒng)的組成
10.6信號反演算法
10.6.1微分傳感器的軟硬件信號處理方式
10.6.2基于MAP的信號處理算法
10.6.3基于MAP算法的實驗驗證
10.6.4不同波形的適應(yīng)性驗證
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第11章瞬態(tài)強電磁脈沖傳感器校準(zhǔn)
11.1基本校準(zhǔn)方法
11.2標(biāo)準(zhǔn)電磁場產(chǎn)生裝置
11.2.1TEM小室
11.2.2GTEM小室
11.2.3鏡面單錐TEM小室
11.3頻域校準(zhǔn)方法
11.4時域聯(lián)合校準(zhǔn)方法
11.4.1幅度靈敏度校準(zhǔn)
11.4.2上升時間校準(zhǔn)
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第12章電離輻射及強電磁脈沖協(xié)和效應(yīng)
12.1電離輻射總劑量效應(yīng)
12.1.1SiO2介質(zhì)材料輻射損傷機理
12.1.2SiSiO2界面電荷 
12.1.3MOS器件電參數(shù)變化
12.2強電磁脈沖效應(yīng)
12.2.1電路各結(jié)構(gòu)的強電磁脈沖效應(yīng)
12.2.2典型的半導(dǎo)體器件的電磁脈沖損傷機理
12.3電離輻射總劑量與強電磁脈沖協(xié)和效應(yīng)
12.3.1協(xié)和效應(yīng)測試方法
12.3.2器件級研究現(xiàn)狀
12.3.3ADC芯片的實驗結(jié)果
12.4概率閾值分析
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第13章國際標(biāo)準(zhǔn)概況
13.1IEC SC77C發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.2其他國際組織發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.2.1ITUT發(fā)布的電信中心的HPEM防護建議
13.2.2IEEE制定的公共可訪問計算機的HPEM防護標(biāo)準(zhǔn)
13.2.3CIGRE制定的高壓變電站電子設(shè)備的HPEM防護建議
13.3歐盟發(fā)布的HPEM相關(guān)文件
13.4各國發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.4.1美國軍用HEMP標(biāo)準(zhǔn)
13.4.2中國的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
13.4.3其他各國發(fā)布的HPEM相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
參考文獻(xiàn)