中子單粒子效應(yīng)

目錄
叢書(shū)序
前言
第1章　緒論　1　
1.1　空間輻射環(huán)境　1　
1.2　典型輻射效應(yīng)　5　
1.3　單粒子效應(yīng)　8　
1.4　本書(shū)主要內(nèi)容　11
參考文獻(xiàn)　11
第2章　大氣中子輻射環(huán)境　14　
2.1　大氣中子來(lái)源簡(jiǎn)介　14　
2.2　大氣中子輻射環(huán)境模型　16　
2.2.1　初級(jí)宇宙射線模型　17　
2.2.2　地磁截止剛度模型　20　
2.2.3　大氣分層模型　23　
2.2.4　粒子輸運(yùn)模擬　24　
2.3　大氣中子輻射環(huán)境模擬軟件　27　
2.3.1　軟件簡(jiǎn)介　27　
2.3.2　軟件基本功能　29　
2.4　典型大氣中子輻射環(huán)境計(jì)算結(jié)果　30　
2.5　小結(jié)　34
參考文獻(xiàn)　34
第3章　中子輻射模擬裝置　36　
3.1　單能中子源　38　
3.1.1　產(chǎn)生單能中子的核反應(yīng)　38　
3.1.2　中子發(fā)生器　39　
3.1.3　靜電加速器　42　
3.1.4　可變能量中子源　46　
3.2　準(zhǔn)單能中子源　46　
3.2.1　7Li（p，n）中子源典型布局及參數(shù)　47　
3.2.2　準(zhǔn)單能中子源舉例　49　
3.2.3　國(guó)內(nèi)的準(zhǔn)單能中子源　54　
3.3　白光中子源　55　
3.3.1　白光中子源簡(jiǎn)介　55　
3.3.2　中國(guó)散裂中子源反角白光中子源　56　
3.3.3　國(guó)外三個(gè)典型的白光中子源　61　
3.4　反應(yīng)堆中子源　65　
3.4.1　西安脈沖反應(yīng)堆主要特點(diǎn)　65　
3.4.2　西安脈沖反應(yīng)堆中子參數(shù)測(cè)試　67　
3.5　小結(jié)　70
參考文獻(xiàn)　70
第4章　中子輻射環(huán)境測(cè)量技術(shù)　73　
4.1　中子測(cè)量技術(shù)簡(jiǎn)介　73　
4.1.1　大氣中子探測(cè)技術(shù)　73　
4.1.2　快中子能譜測(cè)量　77　
4.2　大氣中子輻射探測(cè)器　78　
4.2.1　雙層閃爍探測(cè)器　78　
4.2.2　Bonner球探測(cè)器　90　
4.2.3　粒子甄別與能譜采集　95　
4.3　標(biāo)定方法　104　
4.3.1　雙層閃爍探測(cè)器　105　
4.3.2　Bonner球探測(cè)器　109　
4.4　雙層閃爍探測(cè)器中子、質(zhì)子能譜解譜方法　111　
4.4.1　探測(cè)器能量響應(yīng)　111　
4.4.2　解譜原理　111　
4.4.3　解譜算法　112　
4.4.4　能譜反演　115　
4.5　小結(jié)　117
參考文獻(xiàn)　117
第5章　中子單粒子效應(yīng)機(jī)理與數(shù)值模擬　121　
5.1　中子單粒子效應(yīng)物理過(guò)程　121　
5.1.1　電荷沉積　121　
5.1.2　電荷收集　122　
5.1.3　電路響應(yīng)　123　
5.2　中子單粒子效應(yīng)粒子輸運(yùn)模型　124　
5.2.1　器件幾何模型　125　
5.2.2　截面計(jì)算模型　126　
5.2.3　物理處理列表　127　
5.3　典型存儲(chǔ)器中子單粒子效應(yīng)模擬　128　
5.3.1　大氣中子單粒子效應(yīng)模擬　128　
5.3.2　裂變中子單粒子效應(yīng)模擬　136　
5.4　小結(jié)　138
參考文獻(xiàn)　138
第6章　中子單粒子效應(yīng)測(cè)量及數(shù)據(jù)處理方法　140　
6.1　中子單粒子效應(yīng)測(cè)量和判別　140　
6.1.1　中子單粒子效應(yīng)測(cè)量　140　
6.1.2　中子單粒子效應(yīng)判別　141　
6.2　MCU提取方法　142　
6.2.1　基于時(shí)間或空間的提取方法　142　
6.2.2　基于統(tǒng)計(jì)學(xué)的提取方法　144　
6.3　實(shí)驗(yàn)結(jié)果不確定度分析　148　
6.3.1　不確定度的基本概念　148　
6.3.2　實(shí)驗(yàn)不確定度的來(lái)源　149　
6.3.3　實(shí)驗(yàn)不確定度的評(píng)定　150　
6.4　不同中子源的單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)方法　153　
6.4.1?。?zhǔn)）單能中子實(shí)驗(yàn)方法　153　
6.4.2　散裂中子實(shí)驗(yàn)方法　154　
6.4.3　大氣中子實(shí)驗(yàn)方法　155　
6.4.4　器件單粒子效應(yīng)率計(jì)算　156　
6.5　單粒子效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)　156　
6.5.1　基本要求　156　
6.5.2　典型測(cè)量系統(tǒng)　158　
6.6　小結(jié)　162
參考文獻(xiàn)　162
第7章　中子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)　165　
7.1　單能中子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)　165　
7.1.1　SRAM單能中子實(shí)驗(yàn)　166　
7.1.2　數(shù)字信號(hào)處理器單能中子實(shí)驗(yàn)　168　
7.2　散裂中子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)　170　
7.2.1　實(shí)驗(yàn)基本情況　171　
7.2.2　影響因素分析　174　
7.2.3　實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論　180　
7.2.4　中國(guó)散裂中子源與大氣中子的等效性　181　
7.3　反應(yīng)堆中子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)　183　
7.3.1　典型實(shí)驗(yàn)結(jié)果　183　
7.3.2　影響因素分析　186　
7.3.3　反應(yīng)堆實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論　187　
7.4　地面和高山大氣中子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)　188　
7.4.1　羊八井高山實(shí)驗(yàn)　188　
7.4.2　歐洲高原實(shí)驗(yàn)　191　
7.5　航空飛行中子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)　192　
7.5.1　Samsung SRAM芯片抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測(cè)試　193　
7.5.2　NEC SRAM存儲(chǔ)芯片抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測(cè)試　193　
7.5.3　IMS1601 SRAM芯片航空飛行抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力測(cè)試　194　
7.6　小結(jié)　195
參考文獻(xiàn)　195
附錄　198