CMOS

定　價：￥95.00

作　者：	[瑞典] 亨利，H.拉達姆松等著，趙超譯
出版社：	上?？茖W技術(shù)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787547852316	出版時間：	2021-03-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	256	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　CMOS是集成電路的基本單元，其設(shè)計和結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了數(shù)十年的進化歷程，始終遵從了摩爾定律。作為關(guān)于CMOS器件和制造的專業(yè)書籍，本書內(nèi)容涵蓋了CMOS器件的發(fā)展歷史、技術(shù)現(xiàn)狀和未來發(fā)展趨勢，對于過去20年中進入量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)模塊給出了較為系統(tǒng)和深入的討論。

作者簡介

　　[瑞典]Henry H.Radamson：歐洲科學院院士，中科院微電子研究所“千ren計劃”特聘專家、研究員，國家高層次人才專家。2011年和2018年兩次獲得瑞典先進IR技術(shù)創(chuàng)新獎；Springer-Nature 期刊編輯，Nanomaterials 客座編輯。羅軍：中國科學院微電子研究所研究員，中國科學院大學崗位教授、博士生導師、集成電路先導工藝研發(fā)中心副主任，廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院FDSOI創(chuàng)新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science： Materials in Electronics副主編，2019年入選中科院青促會優(yōu)秀會員。 [比利時]Eddy Simoen：比利時歐洲微電子研發(fā)中心（IMEC）高級研究員，中科院微電子研究所客座教授，根特大學兼任教授。國際電化學學會會士，曾任EDS荷比盧分會主席和多個國際學術(shù)會議分會場主席和會議論文集主編。趙超：中國國籍，（為作者之一，詳見譯者簡介。）

圖書目錄

第 1章金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累積
1.2.2 耗盡
1.2.3 反型
1.2.4 強反型
1.3 MOSFET的品質(zhì)因數(shù)
1.4 MOSFET器件結(jié)構(gòu)的演變
1.5 小結(jié)
參考文獻
第2章器件結(jié)構(gòu)小型化和演化進程
2.1 引言
2.2 尺寸和結(jié)構(gòu)的縮放
2.2.1 縮放原則
2.2.2 器件結(jié)構(gòu)的影響
2.2.3 無結(jié)型晶體管
2.3 光刻
2.3.1 增強分辨率
2.3.2 二次圖形化技術(shù)
2.3.3 極紫外光刻技術(shù)
2.3.4 掩模增強技術(shù)
2.4 電子束光刻
2.5 應(yīng)變工程
......
第8 章先進互連技術(shù)及其可靠性
8.1 引言
8.2 銅互連集成
8.2.1 大馬士革工藝
8.2.2 銅電阻隨互連微縮的變化
8.2.3 新型銅互連集成方案
8.3 low-k 介質(zhì)特征和分類
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分類和表征
8.3.3 low-k介質(zhì)集成挑戰(zhàn)
8.3.4 氣隙在互連中的實現(xiàn)
8.4 銅與硅和介質(zhì)的相互作用
8.4.1 銅與硅的相互作用
8.4.2 銅與介質(zhì)的相互作用
8.5 金屬擴散阻擋層
8.5.1 金屬間阻擋層的材料選擇
8.5.2 金屬擴散阻擋層的沉積
8.6 銅金屬化的可靠性
8.6.1 電遷移基礎(chǔ)理論
8.6.2 應(yīng)力致空洞化
8.7 先進金屬間介質(zhì)的可靠性
8.7.1 金屬間介質(zhì)的漏電機理
8.7.2 金屬間介質(zhì)的擊穿特性
8.8 可靠性統(tǒng)計和失效模型
8.8.1 概率分布函數(shù)
8.8.2 擊穿加速模型
8.9 未來的互連
8.10 小結(jié)
參考文獻
后記
原著致謝