寬禁帶半導體電子材料與器件

目錄
叢書序
序
前言
第1章 緒論1
第2章 氮化物寬禁帶半導體及其異質結構的物理性質6
2.1 氮化物半導體的基本物理性質6
2.2 氮化物半導體異質結構的基本物理性質10
2.3 氮化物半導體異質結構中2DEG的高場輸運性質12
2.4 氮化物半導體異質結構中2DEG的量子輸運性質18
2.5 氮化物半導體異質結構中2DEG的自旋性質23
參考文獻27
第3章 氮化物半導體及其異質結構的外延生長34
3.1 氮化物半導體的外延生長方法概述34
3.2 氮化物半導體的同質外延生長57
3.3 氮化物半導體的異質外延生長61
參考文獻79
第4章 氮化物半導體射頻電子器件93
4.1 GaN基射頻電子器件概述93
4.2 SiC襯底上GaN基微波功率器件94
4.3 Si襯底上GaN基射頻電子器件104
4.4 GaN基超高頻電子器件108
4.5 GaN基射頻電子器件的應用113
參考文獻119
第5章 氮化物半導體功率電子器件123
5.1 GaN基功率電子器件概述123
5.2 增強型GaN基功率電子器件及異質結構能帶調制工程125
5.3 GaN基功率電子器件表面／界面局域態(tài)特性與調控136
5.4 GaN基垂直結構功率電子器件140
5.5 GaN基功率電子器件的可靠性147
5.6 GaN基功率電子器件的應用158
參考文獻167
第6章 SiC半導體單晶襯底及外延材料176
6.1 SiC半導體的基本物理性質176
6.2 SiC半導體單晶襯底材料的生長179
6.3 SiC半導體材料的外延生長184
參考文獻199
第7章 SiC半導體功率電子器件205
7.1 SiC基功率電子器件概述205
7.2 SiC基整流二極管206
7.3 SiC基功率開關器件216
7.4 SiC基功率電子器件的應用226
參考文獻230
第8章 半導體金剛石材料與功率電子器件236
8.1 半導體金剛石的基本物理性質236
8.2 金剛石單晶材料的制備方法245
8.3 單晶金剛石襯底的制備251
8.4 高質量半導體金剛石薄膜的外延生長256
8.5 半導體金剛石的摻雜和電導調控257
8.6 金剛石基半導體功率電子器件261
參考文獻269
第9章 氧化鎵半導體功率電子材料與器件280
9.1 氧化鎵半導體的基本物理性質280
9.2 氧化鎵半導體單晶材料的生長282
9.3 氧化鎵基半導體功率電子器件296
參考文獻309