晶體管非線性模型參數(shù)提取技術

定　價：￥88.00

作　者：	[德] 馬蒂亞斯·魯?shù)婪颍∕atthias Rudolph）著，王穎，董士偉，董亞洲等譯
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118120677	出版時間：	2020-10-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	326	字數(shù)：

內容簡介

　　《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術》旨在對晶體管模型參數(shù)提取提供全面的概述：一方面，基本前提是參數(shù)提取與建立基于物理模型本身同等重要；另一方面，即使對不同的技術，提取方法也往往基于同樣的想法和假設；因此，《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術》的目的是給出一個較為寬泛的想法，聚焦于一個主題和概念，而非限定在某一特定的晶體管類型。《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術》是基于2009年由編輯組織的IEEE微波技術和理論協(xié)會國際微波研討會上的一個專題，每一章對應于專題中的一個報告。范圍覆蓋了參數(shù)提取中幾乎所有的任務：從直流到小信號參數(shù)，如何集成小信號參數(shù)以獲得如電荷和電流等大信號參量；如何確定非本征單元的數(shù)值；晶體管封裝建模和自熱；色散效應；噪聲；晶體管加工統(tǒng)計；提取和驗證的測量技術等。

作者簡介

暫缺《晶體管非線性模型參數(shù)提取技術》作者簡介

圖書目錄

第1章緒論
1．1 模型提取的挑戰(zhàn)
1．1．1 精確性
1．1．2 數(shù)值收斂
1．1．3 建模晶體管的選擇
1．2 模型提取流程
參考文獻
第2章直流與熱模型：Ⅲ-V族FET和HBT
2．1 介紹
2．2 基本的直流特性
2．3 FET直流參數(shù)和建模
2．4 HBT直流參數(shù)和建模
2．5 工藝控制監(jiān)測
2．6 熱建模概述
2．7 基于物理的HBT熱縮放模型
2．8 基于測量的FET熱模型
2．9 晶體管可靠性評估
參考文獻
第3章 Ⅲ-V族HBT和HEMT器件的非本征參數(shù)和寄生元件建模
3．1 引言
3．2 測試、校準和去嵌的構架
3．3 HBT非本征參數(shù)提取方法
3．3．1 等效電路拓撲
3．3．2 接觸電阻和疊層電容的物理描述
3．3．3 外部電阻和電感的提取
3．4 HEMT非本征參數(shù)提取方法
3．4．1 冷FET方法
3．4．2 無偏置方法
3．4．3 GaNHEMT的特別之處
3．5 多胞陣列的縮放
參考文獻
第4章小信號等效電路建模的不確定性
4．1 介紹
4．1．1 建模中的不確定性來源
4．1．2 測量不確定性
4．2 直接提取方法的不確定性
4．2．1 直接提取的簡單例子
4．2．2 晶體管測量結果
4．3 基于優(yōu)化器的估計技巧
4．3．1 似然估計
4．3．2 小信號晶體管模型參數(shù)的MLE
4．3．3 MLE與直接提取方法的比較
4．3．4 MLE在RF-CMOS去嵌中的應用
4．3．5 討論
4．4 等效電路建模中的復雜性與不確定性
4．4．1 尋找模型拓撲
4．4．2 說明實例
4．5 總結和討論
參考文獻
……
第5章大信號模型：理論基礎、實際因素及進展
第6章大尺寸裝晶體管
第7章高頻功率晶體管非線性特性和色散效應模擬
第8章模型構建和驗證的優(yōu)化微波測量
第9章高效電路設計的實用統(tǒng)計仿真
第10章噪聲建模