新型半導(dǎo)體光電探測(cè)器原理與性能

第一章 半導(dǎo)體的光電效應(yīng)
1．1 光電導(dǎo)效應(yīng)
1．2 p-n結(jié)光伏效應(yīng)
1．3 光電子發(fā)射效應(yīng)
1．4 光磁電效應(yīng)
第二章 光電探測(cè)器的噪聲
2．1 噪聲的概率分布
2．2 噪聲的功率譜密度
2．3 幾種常見(jiàn)的噪聲
第三章 光電探測(cè)器的性能參數(shù)
3．1 光電探測(cè)器的工作條件
3．2 光電探測(cè)器的響應(yīng)
3．3 光電探測(cè)器的噪聲參數(shù)
3．4 其他參數(shù)
第四章 有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦光電探測(cè)器
4．1 鈣鈦礦材料性質(zhì)
4．2 光電導(dǎo)型鈣鈦礦光電探測(cè)器
4．3 光伏型鈣鈦礦光電探測(cè)器
4．4 晶體管型鈣鈦礦光電探測(cè)器
4．5 光電倍增型鈣鈦礦探測(cè)器
4．6 鈣鈦礦光電探測(cè)器的性能
4．7 全無(wú)機(jī)鈣鈦礦光電探測(cè)器
第五章 異質(zhì)結(jié)構(gòu)鈣鈦礦光電探測(cè)器
5．1 與二維材料異質(zhì)
5．2 與低維納米結(jié)構(gòu)異質(zhì)
5．3 其他類(lèi)型的異質(zhì)結(jié)構(gòu)
第六章 金屬-無(wú)機(jī)半導(dǎo)體-金屬光電探測(cè)器
6．1 MSM-PDs基本結(jié)構(gòu)及原理
6．2 GaAs材料MSM-PDs
6．3 InGaAs材料MSM-PDs
6．4 Si／Ge材料MSM-PDs
6．5 GaN材料MSM-PDs
6．6 ZnO材料MSM-PDs
6．7 其他無(wú)機(jī)材料MSM-PDs
6．8 金屬微納結(jié)構(gòu)改善MSM-PDs的紅外響應(yīng)
第七章 有機(jī)光電倍增探測(cè)器的研究進(jìn)展
7．1 有機(jī)光電倍增探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)及原理
7．2 基于小分子的有機(jī)光電倍增探測(cè)器
7．3 基于聚合物的有機(jī)光電倍增探測(cè)器
7．4 有機(jī)光電倍增探測(cè)器的性能優(yōu)化
7．5 有機(jī)光電倍增探測(cè)器工作原理的不同解釋
第八章 光電探測(cè)器的前景
8．1 鈣鈦礦光電探測(cè)器的前景
8．2 金屬-無(wú)機(jī)半導(dǎo)體-金屬光電探測(cè)器的前景
8．3 有機(jī)光電倍增探測(cè)器前景
參考文獻(xiàn)