新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件與技術(shù)

定　價(jià)：￥89.00

作　者：	母一寧等
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118118117	出版時(shí)間：	2019-02-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	166	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件與技術(shù)》簡(jiǎn)要闡述近年來(lái)新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件內(nèi)涵、特點(diǎn)、研究意義與國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀；對(duì)影響新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體設(shè)計(jì)方案的多種外界約束條件和性能指標(biāo)進(jìn)行分析；重點(diǎn)論述新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢(shì)，并論述了寬禁帶紫外半導(dǎo)體激射原理，電真空光電倍增原理與復(fù)合探測(cè)機(jī)制，真空半導(dǎo)體電子倍增成像器件以及未來(lái)光電調(diào)制技術(shù)等。《新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件與技術(shù)》可供從事空間光電技術(shù)領(lǐng)域的科技人員使用，也適合光學(xué)工程、通信工程等學(xué)科的高年級(jí)本科生、研究生和高等學(xué)校教師參考和閱讀。

作者簡(jiǎn)介

　　母一寧，長(zhǎng)春理工大學(xué)理學(xué)院，電子科學(xué)與技術(shù)系，紅外技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)科方向帶頭人，吉林省瞬態(tài)光學(xué)與光電子器件創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)帶頭人，先后申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利十一項(xiàng)，其中已授權(quán)九項(xiàng)，在國(guó)內(nèi)外發(fā)表學(xué)術(shù)論文三十余篇，其中二十余篇被SCIEI檢索，先后主持、省部級(jí)、市局級(jí)科研項(xiàng)目十余項(xiàng)，其中三個(gè)項(xiàng)目分別獲2017年吉林省技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、2017年吉林省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)以及2015年吉林省科技進(jìn)步三等。

圖書(shū)目錄

第1章緒論
1．1 光電子器件的瞬態(tài)
1．2 半導(dǎo)體紫外光發(fā)射器研究現(xiàn)狀與進(jìn)展
1．3 真空半導(dǎo)體器件瞬態(tài)優(yōu)勢(shì)與艾里光束的非線性瞬態(tài)調(diào)制技術(shù)
第2章寬禁帶半導(dǎo)體電光器件瞬時(shí)激射
2．1 異質(zhì)結(jié)器件電瞬時(shí)發(fā)光機(jī)理
2．2 異質(zhì)結(jié)薄膜的MIS結(jié)紫外光發(fā)射器件
2．2．1 波長(zhǎng)調(diào)控機(jī)理
2．2．2 器件制備流程與工藝
2．2．3 異質(zhì)結(jié)薄膜MIS結(jié)制備
2．2．4 MIS結(jié)光發(fā)射器件的電泵浦隨機(jī)激光
2．3 波長(zhǎng)可調(diào)的紫外電致發(fā)光和隨機(jī)激光
2．3．1 MIS結(jié)光發(fā)射器件的制備
2．3．2 波長(zhǎng)可調(diào)的電致發(fā)光和隨機(jī)激光
2．3．3 電致發(fā)光機(jī)制與討論
2．4 MIS結(jié)激光二極管的瞬態(tài)技術(shù)
2．4．1 納米線陣列的水熱合成與物性
2．4．2 納米線性能提升
2．4．3 納米線的光學(xué)和電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì)
2．4．4 納米線的電泵浦受激發(fā)射和機(jī)制
2．5 本章小結(jié)
第3章電真空光電倍增與復(fù)合探測(cè)原理
3．1 電真空光電倍增器件復(fù)合探測(cè)的應(yīng)用背景與原理
3．1．1 復(fù)合探測(cè)的應(yīng)用背景
3．1．2 復(fù)合探測(cè)原理
3．2 微通道空間波導(dǎo)陽(yáng)極復(fù)合探測(cè)器件
3．2．1 復(fù)合波導(dǎo)陽(yáng)極結(jié)構(gòu)與工作原理
3．2．2 復(fù)合波導(dǎo)陽(yáng)極設(shè)計(jì)原理與特性
3．3 器件級(jí)電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、工藝與驗(yàn)證
3．3．1 器件級(jí)工藝與實(shí)現(xiàn)
3．3．2 復(fù)合探測(cè)原理性驗(yàn)證
3．4 微通道空間復(fù)合波導(dǎo)柵型復(fù)合探測(cè)器件
3．5 本章小結(jié)
第4章 EBAPS瞬時(shí)光電倍增器件
4．1 EBAPS的基本結(jié)構(gòu)及原理
4．2 入射光電子在電子倍增層中的散射模型
4．2．1 入射光電子的運(yùn)動(dòng)軌跡基本模型
4．2．2 散射截面
4．2．3 非彈性散射的能量損失
4．2．4 坐標(biāo)系變換
4．2．5 計(jì)算機(jī)模擬電子運(yùn)動(dòng)軌跡的物理模型
4．3 EBAPS中電子倍增層內(nèi)電子散射特性的影響因素
4．3．1 入射光電子能量對(duì)電子散射特性的影響研究
4．3．2 死層厚度與能量損失率的關(guān)系
4．3．3 摻雜濃度對(duì)倍增層內(nèi)電子散射特性的影響
4．3．4 入射光電子束直徑與電子散射特性的關(guān)系研究
4．3．5 倍增電子分布模擬研究
4．4 EBAPS電荷收集效率理論模擬與測(cè)試方法
4．4．1 基底均勻下EBAPS電荷收集效率理論模擬研究
4．4．2 基底梯度摻雜下EBAPS電荷收集效率理論模擬研究