二維化合物的吸附特性

第1章緒論/ 001
1.1單層二硫化鉬(MoS2) 研究進(jìn)展/ 001
1.1.1石墨烯/ 001
1.1.2二硫化鉬(MoS2)/ 002
1.1.3單層MoS2缺陷吸附摻雜研究/ 005
1.2單層硒化銦(InSe) 研究進(jìn)展/ 007
1.2.1InSe簡介/ 007
1.2.2InSe電子結(jié)構(gòu)及性質(zhì)/ 008
參考文獻(xiàn)/ 009

第2章理論方法/ 015
2.1能帶理論的三大近似/ 015
2.1.1絕熱近似/ 016
2.1.2單電子近似(密度泛函理論)/ 017
2.1.3周期性勢場近似(布洛赫定理)/ 020
2.2勢與波函數(shù)的處理/ 021
2.2.1平面波方法/ 022
2.2.2原子軌道線性組合法/ 023
2.2.3贗勢方法/ 024
2.2.4投影綴加波法/ 025
2.3Kohn-Sham方程的自洽求解/ 026
參考文獻(xiàn)/ 027

第3章Au團(tuán)簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)的影響/ 029
3.1概述/ 030
3.2計(jì)算模型和方法/ 031
3.3結(jié)構(gòu)及電子性質(zhì)/ 033
3.3.1Aun團(tuán)簇吸附于非缺陷單層MoS2/ 033
3.3.2Au團(tuán)簇在單S空位MoS2上的吸附/ 038
3.3.3Au團(tuán)簇在反位缺陷MoS2上的吸附/ 043
參考文獻(xiàn)/ 047

第4章反位缺陷對單層MoS2電子和磁學(xué)性質(zhì)的影響/ 051
4.1概述/ 051
4.2計(jì)算方法和模型/ 052
4.3電子及磁學(xué)性質(zhì)/ 054
4.3.1反位缺陷MoS2的電子性質(zhì)/ 054
4.3.23d過渡金屬原子吸附對反位缺陷MoS2的電子及磁學(xué)性質(zhì)的影響/ 056
參考文獻(xiàn)/ 060

第5章非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學(xué)性質(zhì)的影響/ 063
5.1概述/ 063
5.2計(jì)算模型和方法/ 064
5.3吸附位置及磁學(xué)性質(zhì)/ 065
5.3.1非金屬原子的吸附位置/ 065
5.3.2非金屬原子吸附對MoS2磁學(xué)及電子性質(zhì)的影響/ 066
參考文獻(xiàn)/ 071

第6章3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)的影響/ 074
6.1概述/ 074
6.2計(jì)算模型和方法/ 076
6.3穩(wěn)定性、電學(xué)及磁學(xué)性質(zhì)/ 077
6.3.1幾何結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性/ 077
6.3.2電子結(jié)構(gòu)/ 079
6.3.3磁性/ 079
6.3.4能帶結(jié)構(gòu)/ 084
參考文獻(xiàn)/ 087

第7章小分子吸附對單層InSe電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)的影響/ 091
7.1概述/ 091
7.2計(jì)算模型和方法/ 093
7.3吸附對電學(xué)及磁學(xué)性質(zhì)的影響/ 094
7.3.1CO吸附/ 094
7.3.2H2O吸附/ 096
7.3.3NH3吸附/ 097
7.3.4N2吸附/ 098
7.3.5NO2吸附/ 099
7.3.6NO吸附/ 101
7.3.7O2吸附/ 102
參考文獻(xiàn)/ 103