低維過渡金屬硫?qū)倩衔锏碾娮有再|(zhì)及調(diào)控

定　價：￥55.00

作　者：	蘇向英著
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	化學科學與自然

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ISBN：	9787121322600	出版時間：	2017-09-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	124	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是作者近年來在對低維過渡金屬硫?qū)倩衔锊牧系挠嘘P(guān)研究的基礎(chǔ)上撰寫而成的，系統(tǒng)地介紹了低維過渡金屬硫?qū)倩衔锏碾娮有再|(zhì)及調(diào)控。全書共分8章，前兩章介紹了二維材料（特別是二維過渡金屬硫?qū)倩衔铮┑难芯勘尘凹袄碚摲椒?，?章介紹了二維過渡金屬硫?qū)倩衔锛{米膜的電子性質(zhì)及應力對其電子性質(zhì)的調(diào)控，第4～6章介紹了二維過渡金屬硫?qū)倩衔镒越M裝雜化結(jié)構(gòu)的性質(zhì)，第7～8章研究了襯底對過渡金屬硫?qū)倩衔锏挠绊?。本書可供相關(guān)低維材料領(lǐng)域的科技工作者參考，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)的本科生和研究生的參考書。

作者簡介

　　蘇向英，西北大學博士，專業(yè)凝聚態(tài)物理，任教于河南科技大學物理工程學院。參加河南省教育廳高等教育教學改革項目并通過鑒定；主持一項國家自然科學基金項目并已結(jié)題；正參研一項國家自然科學基金青年基金項目；主持一項河南科技大學校青年基金項目并已結(jié)題；參加河南省科技廳、教育廳項目。獲得河南省教學技能競賽二等獎。

圖書目錄

目錄
第1章緒論\t1
1．1 Free Standing的二維材料\t1
1．1．1 石墨烯簡介\t1
1．1．2 氮化硼（BN）的研究\t2
1．1．3 二維硫?qū)倩衔锏姆诸惣敖Y(jié)構(gòu)\t3
1．1．4 其他二維材料\t4
1．2 二維硫?qū)倩衔锊牧系闹苽浼皯肻t5
1．2．1 二維硫?qū)倩衔锛{米材料的制備\t5
1．2．2 二維硫?qū)倩衔锛{米材料的應用\t8
1．3 二維過渡金屬硫?qū)倩衔镄再|(zhì)的實驗研究\t11
1．3．1 力學性質(zhì)\t11
1．3．2 光學性質(zhì)\t13
1．4 二維過渡金屬硫?qū)倩系牡谝恍栽碛嬎鉢t14
1．4．1 電子結(jié)構(gòu)\t14
1．4．2 聲子結(jié)構(gòu)\t15
1．4．3 磁性特征\t15
1．4．4 外加應力和電場的作用\t16
1．4．5 合金（Alloys）材料\t18
1．4．6 異質(zhì)結(jié)構(gòu)和復合材料\t18
1．4．7 界面特性\t19
1．5 尋找新的二維材料\t20
參考文獻\t21
第2章理論方法和計算軟件\t27
2．1 密度泛函理論\t27
2．1．1 絕熱近似\t27
2．1．2 Hartree-Fock近似\t29
2．1．3 Thomas-Fermi-Dirac理論\t30
2．1．4 Hohenberg-Kohn定理\t31
2．1．5 自洽Kohn-Sham方程\t32
2．1．6 交換關(guān)聯(lián)泛函\t35
2．2 計算軟件簡介\t37
參考文獻\t37
第3章應力對二維過渡金屬硫?qū)倩衔锛{米膜電子結(jié)構(gòu)的影響\t41
3．1 引言\t41
3．2 平面雙軸應力對多層MX2的影響\t42
3．2．1 計算方法和模型\t42
3．2．2 結(jié)果和討論\t44
3．3 垂直壓應力對多層MX2的影響\t48
3．3．1 計算方法和模型\t48
3．3．2 結(jié)果和討論\t49
3．4 本章小結(jié)\t52
參考文獻\t53
第4章過渡金屬硫?qū)倩衔锂愘|(zhì)結(jié)的電子性質(zhì)及調(diào)控\t55
4．1 引言\t55
4．2 計算模型和方法\t56
4．2．1 計算模型\t56
4．2．2 計算方法\t56
4．3 平衡狀態(tài)下異質(zhì)結(jié)的電子結(jié)構(gòu)\t57
4．3．1 最優(yōu)幾何結(jié)構(gòu)\t57
4．3．2 電子結(jié)構(gòu)\t58
4．4 面內(nèi)雙軸應力對異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控\t59
4．5 法向壓應力對異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控\t62
4．6 本章小結(jié)\t64
參考文獻\t64
第5章過渡金屬硫?qū)倩衔锛{米膜超晶格量子阱特性研究\t67
5．1 引言\t67
5．2 計算模型和方法\t69
5．2．1 計算模型\t69
5．2．2 計算方法\t69
5．3 超晶格的最優(yōu)結(jié)構(gòu)及穩(wěn)定性\t72
5．3．1 超晶格的最優(yōu)結(jié)構(gòu)\t72
5．3．2 超晶格的穩(wěn)定性\t73
5．4 量子阱的形成及其電子結(jié)構(gòu)特征\t74
5．4．1 量子阱的形成\t74
5．4．2 MoS2/WSe2量子阱的能帶結(jié)構(gòu)特征\t76
5．4．3 界面間的電荷轉(zhuǎn)移情況\t79
5．5 應力對量子阱的影響\t79
5．6 2MoS2/2WSe2量子阱特性\t81
5．7 本章小結(jié)\t83
參考文獻\t84
第6章 MoS2基面內(nèi)超晶格的電子性質(zhì)及調(diào)控\t87
6．1 引言\t87
6．2 計算模型和方法\t88
6．2．1 計算模型\t88
6．2．2 計算方法\t88
6．3 面內(nèi)超晶格的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性\t89
6．4 面內(nèi)超晶格的電子性質(zhì)\t90
6．5 面內(nèi)雙軸應力對超晶格電子性質(zhì)的調(diào)控\t91
6．6 本章小結(jié)\t95
參考文獻\t96
第7章 SiO2襯底對單層MoS2電子性質(zhì)的影響\t99
7．1 引言\t99
7．2 計算模型和方法\t99
7．2．1 計算模型\t99
7．2．2 計算方法\t100
7．3 MoS2/SiO2結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性\t100
7．4 MoS2/SiO2的電子結(jié)構(gòu)\t102
7．5 本章小結(jié)\t105
參考文獻\t105
第8章 LiNbO3襯底對單層和雙層MoSe2電子性質(zhì)的影響\t107
8．1 引言\t107
8．2 計算模型和方法\t107
8．2．1 計算模型\t107
8．2．2 計算方法\t108
8．3 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性\t109
8．4 MoSe2/LiNbO3和2MoSe2/LiNbO3的電子結(jié)構(gòu)\t110
8．5 本章小結(jié)\t113
參考文獻\t113