產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告新型傳感器（第46冊(cè)）

定　價(jià)：￥78.00

作　者：	楊鐵軍著
出版社：	知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社
叢編項(xiàng)：	產(chǎn)業(yè)專利分析報(bào)告
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787513042949	出版時(shí)間：	2016-06-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	340	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)是新型傳感器行業(yè)的專利分析報(bào)告。報(bào)告從該行業(yè)的專利（國(guó)內(nèi)、國(guó)外）申請(qǐng)、授權(quán)、申請(qǐng)人的已有專利狀態(tài)、其他先進(jìn)國(guó)家的專利狀況、同領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)的專利壁壘等方面入手，充分結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，展開(kāi)分析，并得出分析結(jié)果。本書(shū)是了解該行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀并預(yù)測(cè)未來(lái)走向，幫助企業(yè)做好專利預(yù)警的必備工具書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

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圖書(shū)目錄

第1章概況
1.1研究背景
1.1.1技術(shù)發(fā)展概況
1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
1.1.3行業(yè)需求
1.2研究對(duì)象和方法
1.2.1研究對(duì)象
1.2.2研究方法
1.2.3相關(guān)事項(xiàng)和約定
第2章CMOS圖像傳感器
2.1CMOS圖像傳感器專利總體態(tài)勢(shì)
2.1.1申請(qǐng)趨勢(shì)
2.1.2原創(chuàng)/目標(biāo)國(guó)或地區(qū)分布
2.1.3申請(qǐng)人分析
2.2重要申請(qǐng)人——索尼
2.2.1申請(qǐng)趨勢(shì)
2.2.2產(chǎn)品相關(guān)核心專利布局
2.2.3堆疊式背照技術(shù)
2.2.4索尼專利申請(qǐng)撰寫(xiě)策略
2.3背照式CMOS圖像傳感器
2.3.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
2.3.2技術(shù)分布
2.3.3中國(guó)專利有效性
2.3.4申請(qǐng)人分析
2.3.5技術(shù)功效分析
2.4核心專利技術(shù)
2.4.1解決減小暗電流問(wèn)題
2.4.2解決抗串?dāng)_問(wèn)題
2.4.3技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)
2.5本章小結(jié)
第3章柔性壓力傳感器
3.1柔性壓力傳感器專利總體態(tài)勢(shì)
3.2應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.3電子皮膚技術(shù)
3.3.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
3.3.2專利區(qū)域分布
3.3.3申請(qǐng)人分析
3.3.4技術(shù)生命周期
3.3.5電子皮膚技術(shù)發(fā)展路線
3.4電子皮膚應(yīng)用技術(shù)
3.4.1典型應(yīng)用技術(shù)解析
3.4.2技術(shù)功效分析
3.4.3主要產(chǎn)品及專利布局分析
3.5本章小結(jié)/
第4章光子型紅外傳感器
4.1光子型紅外傳感器專利總體態(tài)勢(shì)
4.1.1申請(qǐng)趨勢(shì)
4.1.2專利區(qū)域分布
4.1.3申請(qǐng)人分析
4.2多波段光子型紅外傳感器
4.2.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
4.2.2技術(shù)發(fā)展路線
4.2.3技術(shù)功效分析
4.2.4重要專利分析
4.3重要申請(qǐng)人——SOFRADIR
4.3.1碲鎘汞紅外傳感器技術(shù)路線
4.3.2SOFRADIR軍民融合策略
4.3.3中國(guó)軍民融合策略
4.4本章小結(jié)
第5章陀螺儀
5.1陀螺儀技術(shù)專利總體態(tài)勢(shì)
5.2MEMS陀螺儀
5.2.1專利申請(qǐng)趨勢(shì)
5.2.2專利區(qū)域分布
5.2.3申請(qǐng)人分析
5.3正交誤差補(bǔ)償技術(shù)
5.3.1技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
5.3.2申請(qǐng)趨勢(shì)
5.3.3專利區(qū)域分布
5.3.4申請(qǐng)人分析
5.3.5專利布局分析
5.4初創(chuàng)公司成功之道——InvenSense
5.4.1InvenSense專利概況
5.4.2重要專利技術(shù)
5.4.3研發(fā)團(tuán)隊(duì)
5.4.4申請(qǐng)策略
5.4.5專利布局
5.4.6技術(shù)路線
5.4.7企業(yè)并購(gòu)
5.5本章小結(jié)
第6章MEMS制造工藝
6.1MEMS制造工藝專利總體態(tài)勢(shì)
6.1.1申請(qǐng)趨勢(shì)
6.1.2技術(shù)構(gòu)成
6.1.3專利區(qū)域分布
6.1.4申請(qǐng)人分析
6.2硅通孔工藝
6.2.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
6.2.2專利區(qū)域分布
6.2.3申請(qǐng)人分析
6.2.4技術(shù)發(fā)展路線
6.2.5技術(shù)功效分析
6.2.6重要專利分析
6.3重要申請(qǐng)人——臺(tái)積電
6.3.1公司概況
6.3.2專利申請(qǐng)態(tài)勢(shì)
6.3.3多角度解決封裝應(yīng)力問(wèn)題
6.3.4扇出晶圓級(jí)封裝核心技術(shù)
6.3.5商業(yè)秘密與專利保護(hù)
6.4MEMS工藝標(biāo)準(zhǔn)化的突破口
6.4.1CMOS-MEMS融合工藝概況
6.4.2重要專利分析
6.4.3重點(diǎn)產(chǎn)品分析
6.5本章小結(jié)
第7章主要結(jié)論
7.1技術(shù)創(chuàng)新
7.2知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)
7.3企業(yè)運(yùn)營(yíng)戰(zhàn)略
圖索引
表索引