材料缺陷的先進計算電子結(jié)構(gòu)方法

定　價：￥88.00

作　者：	[瑞士] 阿爾卡斯卡等著；諶祺等譯
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	電子通信工業(yè)技術(shù) 一般性問題

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ISBN：	9787118098808	出版時間：	2015-06-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	303	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《材料缺陷的先進計算電子結(jié)構(gòu)方法》探討了改善運算的可能途徑，運用更先進的電子結(jié)構(gòu)方法以及作為修正和替代的超晶胞模型，將LDA+U方法、混合及篩選函的優(yōu)點與多種微擾和蒙特卡洛多體理論進行對比以進行評價，并運用基于GW和混合泛函計算的Bethe-Salpeter方程和時序密度泛函理論研究了激子效應。特別研究了如何克服有限元建模中的邊界效應。《材料缺陷的先進計算電子結(jié)構(gòu)方法》對這些方法間的聯(lián)系和基礎做出了清晰的概述，介紹了特殊問題的算法選用標準。讀者可以從中學到超晶胞模型的各種修正模型、作為替代品的嵌入技術(shù)以及能處理高層次復雜結(jié)構(gòu)中的大量單元的改進計算方法。

作者簡介

暫缺《材料缺陷的先進計算電子結(jié)構(gòu)方法》作者簡介

圖書目錄

第1章　固體缺陷與雜質(zhì)電子結(jié)構(gòu)方法的研究進展
第2章　量子蒙特卡羅方法對于固體點缺陷計算的準確性
第3章　多體微擾理論下界面和缺陷的電子性質(zhì)：近期的發(fā)展和應用
第4章　最優(yōu)極化基下GW計算的加速
第5章　屏蔽交換密度泛函下半導體能帶結(jié)構(gòu)和缺陷的計算
第6章　固體的HSE屏蔽雜化
第7章　雜化密度泛函理論下的缺陷能級：理論和應用
第8章　準確的帶隙能級以及對其他缺陷性能計算可靠性的影響
第9章　ZnO、SnO2和TiO2中缺陷的LDA+U和雜化泛函計算
第10章　關(guān)于點缺陷計算中帶隙修正的LDA+U方法的客觀評價：以ZnO中的氧空位為例
第11章　運用廣義Koopmans定理的密度泛函計算預測極化子缺陷態(tài)
第12章　密度泛函理論下的其他方法SiO2的計算
第13章　克服寬帶半導體中雙極摻雜困難
第14章　超晶胞中帶電缺陷間的靜電相互作用
第15章　有限溫度下點缺陷的形成能量
第16章　具有緊束速度的精確Kohn-Sham DFT:材料模擬當前技術(shù)和未來方向
第17章　半導體中淺層缺陷超精細相互作用的從頭格林函數(shù)計算
第18章　半導體中點缺陷激發(fā)態(tài)光譜的含時密度泛函理論研究
第19章　選用何種電子結(jié)構(gòu)研究缺陷問題：評注