負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極及應(yīng)用

定　價(jià)：￥89.00

作　者：	賈欣志編著
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	物理學(xué) 真空電子學(xué)(電子物理學(xué)) 自然科學(xué)

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ISBN：	9787118086522	出版時(shí)間：	2013-05-01	包裝：	精裝
開(kāi)本：	16開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	312	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　負(fù)電子親和勢(shì)（NEA）半導(dǎo)體光電陰極的出現(xiàn)，是光電陰極和以光電陰極為基礎(chǔ)的光電子器件及儀器發(fā)展的重要突破。從此，光電陰極的研發(fā)告別了完全以經(jīng) 驗(yàn)為基礎(chǔ)的局面，進(jìn)入了以半導(dǎo)體帶隙工程為指導(dǎo)，進(jìn)行科學(xué)設(shè)計(jì)的新階段。GaAs—NEA光電陰極，以及后來(lái)發(fā)展的由其他半導(dǎo)體制成的各種NEA光電陰極的出現(xiàn)，不僅有力地推動(dòng)了夜視技術(shù)的發(fā)展，而且使光電陰極的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到高能物理、天文、航空航天、生物化學(xué)等領(lǐng)域。《負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極及應(yīng)用（精）》（作者賈欣志）以GaAs—NEA光電陰極為重點(diǎn)，全面介紹半導(dǎo)體 NEA光電陰極的發(fā)展，各種半導(dǎo)體NEA光電陰極的工作原理、制備技術(shù)、性能特點(diǎn)及應(yīng)用等內(nèi)容。《負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極及應(yīng)用（精）》適合從事電子物理、電真空物理、光電成像和夜視技術(shù)領(lǐng)域的科技人員，高等學(xué)校教師，大學(xué)生和研究生閱讀參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極及應(yīng)用》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第1章緒論
1.1 傳統(tǒng)光電陰極簡(jiǎn)述
1.1.1 金屬光電陰極
1.1.2 傳統(tǒng)光電陰極的發(fā)展
1.2 從傳統(tǒng)光電陰極到NEA光電陰極
1.2.1 堿-銻光電陰極光電發(fā)射機(jī)理
1.2.2 NEA光電陰極出現(xiàn)的背景
1.3 GaAs-NEA光電陰極的發(fā)展
1.3.1 改進(jìn)技術(shù)，使研究成果實(shí)用化
1.3.2 尋求新的NEA光電發(fā)射體
1.3.3 發(fā)展透射式GaAs-NEA光電陰極
1.3.4 進(jìn)行基礎(chǔ)理論與實(shí)驗(yàn)研究
1.4 NEA光電陰極對(duì)傳統(tǒng)光電陰極發(fā)展的推動(dòng)
1.4.1 S-25光電陰極-擴(kuò)展紅響應(yīng)的多堿光電陰極
1.4.2 來(lái)自Ⅲ-V族半導(dǎo)體NEA光電陰極的啟迪
1.4.3 晶體完整性對(duì)光電發(fā)射影響的理論與實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)
1.4.4 多堿光電陰極改進(jìn)的某些嘗試
1.5 兩種類型光電陰極未來(lái)發(fā)展的展望
參考文獻(xiàn)
第2章功函數(shù)與電子親和勢(shì)
第3章 GaAs光電陰極的光學(xué)特性與載流子輸運(yùn)過(guò)程
第4章 GaAs光電陰極表面激活層
第5章 GaAs—NEA光電陰極原理
第6章 GaAs透射式光電陰極的制作技術(shù)
第7章 GaAs—NEA光電陰極性能
第8章 GaAs—NEA光電陰極的應(yīng)用
第9章 GaAsP—NEA光電陰極
第10章非場(chǎng)助1.06pro近紅外NEA光電陰極
第11章場(chǎng)助轉(zhuǎn)移電子光電陰極
第12章 Ⅲ族N化物-NEA紫外光電陰極
第13章金剛石NEA紫外光電陰極
第14章彩色夜視用的NEA光電陰極
英語(yǔ)縮略語(yǔ)