晶體點(diǎn)缺陷基礎(chǔ)

前言
第1章 晶體學(xué)基礎(chǔ)
1．1 引言
1．2 物態(tài)變化
1．3 晶體的宏觀特征
1．4 非晶態(tài)與晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)化
1．5 晶體的空間點(diǎn)陣
1．5．1 晶體的特征和空間點(diǎn)陣
1．5．2 晶胞、晶系和點(diǎn)陣類型
1．5．3 布拉維點(diǎn)陣與復(fù)式點(diǎn)陣
1．5．4 晶胞(單胞)和原胞
1．6 晶面指數(shù)和晶向指數(shù)
1．6．1 三指數(shù)表示法
1．6．2 四指數(shù)表示法
1．7 晶面間距
1．8 晶帶
1．9 準(zhǔn)晶、非晶和液晶
1．9．1 準(zhǔn)晶
1．9．2 非晶
1．9．3 液晶
第2章 晶體的結(jié)構(gòu)
2．1 引言
2．2 布拉維格子
2．3 常見晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征
2．3．1 常見的晶體結(jié)構(gòu)
2．3．2 幾何特征
2．4 晶體結(jié)構(gòu)中的間隙
2．5 晶體原子的堆垛方式
2．6 主要晶體結(jié)構(gòu)類型
2．6．1 元素的晶體結(jié)構(gòu)
2．6．2 純金屬的晶體結(jié)構(gòu)
2．6．3 離子晶體結(jié)構(gòu)
2．6．4 共價(jià)晶體結(jié)構(gòu)
2．6．5 合金的晶體結(jié)構(gòu)
2．6．6 幾種重要的多元晶體結(jié)構(gòu)
2．6．7 硅酸鹽結(jié)構(gòu)
2．7 晶體中的電子結(jié)構(gòu)
2．7．1 晶體的結(jié)合鍵
2．7．2 固體中的電子狀態(tài)
2．7．3 晶體中的電子能態(tài)
2．7．4 離子鍵與晶格能
2．7．5 軌道相互作用簡介
2．7．6 固體中的能帶
2．7．7 離子鍵近似
2．7．8 哈伯德(Hubbard)模型
2．8 晶體結(jié)構(gòu)符號(hào)
第3章 晶體中的點(diǎn)缺陷
3．1 引言
3．2 晶體缺陷的類型
3．2．1 按幾何形態(tài)分類
3．2．2 按缺陷來源分類
3．2．3 按熱力學(xué)分類
3．3 點(diǎn)缺陷
3．3．1 亞晶格(亞點(diǎn)陣)的概念
3．3．2 點(diǎn)缺陷的名稱
3．3．3 點(diǎn)缺陷的類型
3．3．4 本征缺陷和非本征缺陷
3．3．5 金屬中的點(diǎn)缺陷
3．3．6 離子晶體和氧化物中的點(diǎn)缺陷
3．3．7 點(diǎn)缺陷對(duì)晶體性能的影響
3．3．8 離子晶體中的點(diǎn)缺陷與顏色
3．4 點(diǎn)缺陷的符號(hào)表示
3．4．1 符號(hào)表示的方法
3．4．2 特殊缺陷的說明
3．4．3 本征缺陷的再描述
3．5 線缺陷
3．5．1 刃位錯(cuò)(刃型位錯(cuò))
3．5．2 螺位錯(cuò)(螺型位錯(cuò))
3．5．3 位錯(cuò)的描述
3．6 面缺陷
3．6．1 表面
3．6．2 晶界
3．6．3 相界
3．6．4 堆垛層錯(cuò)
第4章 晶體點(diǎn)缺陷物理
4．1 引言
4．2 熱平衡點(diǎn)缺陷的幾何組態(tài)
4．2．1 熱缺陷的基本類型
4．2．2 點(diǎn)缺陷的幾何組態(tài)
4．3 熱平衡點(diǎn)缺陷的統(tǒng)計(jì)理論
4．3．1 熱力學(xué)依據(jù)
4．3．2 熱力學(xué)假定
4．3．3 按統(tǒng)計(jì)理論處理熱平衡缺陷
4．3．4 體積和振動(dòng)頻率改變的影響
4．3．5 點(diǎn)缺陷的平衡濃度
4．3．6 金屬中熱平衡點(diǎn)缺陷的濃度
4．4 點(diǎn)缺陷的形成能和形成熵
4．4．1 點(diǎn)缺陷的形成能
4．4．2 點(diǎn)缺陷的形成熵
4．5 點(diǎn)缺陷的運(yùn)動(dòng)和結(jié)合
4．5．1 點(diǎn)缺陷的遷移
4．5．2 點(diǎn)缺陷的結(jié)合
4．5．3 點(diǎn)缺陷的消失
4．6 點(diǎn)缺陷的遷移能和遷移熵
4．6．1 點(diǎn)缺陷的遷移能
4．6．2 點(diǎn)缺陷的遷移熵
4．7 金屬中的淬火空位
4．7．1 加熱時(shí)的空位濃度
4．7．2 淬火后的空位濃度
4．7．3 退火恢復(fù)
4．8 金屬輻照產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷
4．8．1 輻照效應(yīng)
4．8．2 粒子碰撞
4．8．3 原子碰撞的級(jí)聯(lián)過程
4．8．4 性能影響和輻照損傷
4．8．5 輻照后缺陷的回復(fù)
4．9 點(diǎn)缺陷對(duì)晶體性能的影響
4．9．1 對(duì)晶體密度的影響
4．9．2 對(duì)晶體電性能的影響
4．9．3 對(duì)晶體光性能的影響
4．9．4 對(duì)晶體比熱容的影響
第5章 點(diǎn)缺陷化學(xué)
5．1 引言
5．2 點(diǎn)缺陷的基本知識(shí)
5．2．1 點(diǎn)缺陷的基本類型
5．2．2 點(diǎn)缺陷熱力學(xué)
5．3 缺陷反應(yīng)的表示
5．3．1 點(diǎn)缺陷反應(yīng)式的規(guī)則
5．3．2 點(diǎn)缺陷反應(yīng)式的合理選擇
5．4 點(diǎn)缺陷平衡
5．4．1 本征缺陷
5．4．2 非本征缺陷
5．4．3 異價(jià)缺陷
5．4．4 非本征缺陷濃度與雜質(zhì)濃度的關(guān)系
5．5 非整比化合物
5．5．1 非整比化合物的構(gòu)成方式
5．5．2 非整比化合物的基本類型
5．5．3 非整比相的組成范圍
5．5．4 非整比結(jié)構(gòu)的能態(tài)
5．5．5 非整比缺陷平衡及其近似處理
5．5．6 與非整比缺陷相關(guān)的兩個(gè)概念
5．5．7 非整比化合物的研究方法
5．6 基本缺陷反應(yīng)
5．6．1 整比化合物的基本缺陷反應(yīng)式
5．6．2 非整比化合物的基本缺陷反應(yīng)式
5．7 點(diǎn)缺陷的締合和缺陷簇
5．7．1 締合缺陷的形成
5．7．2 締合缺陷的性質(zhì)
5．8 色心
5．8．1 色心的概念
5．8．2 色心的形成
5．8．3 色心的性質(zhì)
……
第6章 固溶體中的點(diǎn)缺陷
第7章 氧化物中的點(diǎn)缺陷
第8章 點(diǎn)缺陷與晶體擴(kuò)散
第9章 點(diǎn)缺陷與金屬氧化
第10章 點(diǎn)缺陷實(shí)驗(yàn)研究
參考文獻(xiàn)
附錄1國際單位制(SI)
附錄2單位換算系數(shù)
附錄3基本常數(shù)表
附錄4元素的相對(duì)原子質(zhì)量
附錄5有效離子半徑
附錄6某些物質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成熱力學(xué)量及熱容(25℃)
附錄7元素周期表