半導(dǎo)體物理學(xué)（第四版）

主要參數(shù)符號表
第1章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
1.1 半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
1.2 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
1.3 半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量
1.4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 空穴
1.5 回旋共振
1.6 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級
2.1 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級
2.3 缺陷、位錯(cuò)能級
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
3.1 狀態(tài)密度
3.2 費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
3.3 本征半導(dǎo)體的載流子濃度
3.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布
3.6 簡并半導(dǎo)體
補(bǔ)充材料：電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
4.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng) 遷移率
4.2 載流子的散射
4.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.5 玻耳茲曼方程 電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論
4.6 強(qiáng)電場下的效應(yīng) 熱載流子
4.7 多能谷散射 耿氏效應(yīng)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章 非平衡載流子
5.1 非平衡載流子的注入與復(fù)合
5.2 非平衡載流子的壽命
5.3 準(zhǔn)費(fèi)米能級
5.4 復(fù)合理論
5.5 陷阱效應(yīng)
5.6 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
5.7 載流子的漂移運(yùn)動(dòng) 愛因斯坦關(guān)系式
5.8 連續(xù)性方程式
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章 p-n結(jié)
6.1 p-n結(jié)及其能帶圖
6.2 p-n結(jié)電流電壓特性
6.3 p-n結(jié)電容
6.4 p-n結(jié)擊穿
6.5 p-n結(jié)隧道效應(yīng)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第7章 金屬和半導(dǎo)體的接觸
7.1 金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖
7.2 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論
7.3 少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第8章 半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
8.1 表面態(tài)
8.2 表面電場效應(yīng)
8.3 MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性
8.4 硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
8.5 表面電導(dǎo)及遷移率
8.6 表面電場對p-n結(jié)特性的影響
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第9章 異質(zhì)結(jié)
9.1 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖
9.2 異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)
9.3 異質(zhì)結(jié)在器件中的應(yīng)用
9.4 半導(dǎo)體超晶格
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第10章 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象
10.1 半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)
10.2 半導(dǎo)體的光吸收
10.3 半導(dǎo)體的光電導(dǎo)
10.4 半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
10.5 半導(dǎo)體發(fā)光
10.6 半導(dǎo)體激光
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第11章 半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)
11.1 熱電效應(yīng)的一般描述
11.2 半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢率
11.3 半導(dǎo)體的珀耳貼效應(yīng)
11.4 半導(dǎo)體的湯姆孫效應(yīng)
11.5 半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率
11.6 半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的應(yīng)用
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第12章 半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng)
12.1 霍耳效應(yīng)
12.2 磁阻效應(yīng)
12.3 磁光效應(yīng)
12.4 量子化霍耳效應(yīng)
12.5 熱磁效應(yīng)
12.6 光磁電效應(yīng)
12.7 壓阻效應(yīng)
12.8 聲波和載流子的相互作用
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第13章 非晶態(tài)半導(dǎo)體
13.1 非晶態(tài)半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
13.2 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的電子態(tài)
13.3 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的缺陷、隙態(tài)與摻雜效應(yīng)
13.4 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的電學(xué)性質(zhì)
13.5 非晶態(tài)半導(dǎo)體中的光學(xué)性質(zhì)
13.6 α-Si：H的p-n結(jié)與金-半接觸特性
參考文獻(xiàn)
附錄
附錄1 常用物理常數(shù)和能量表達(dá)變換表
附表1-1 常用物理常數(shù)表
附表1-2 能量表達(dá)變換表
附錄2 半導(dǎo)體材料物理性質(zhì)表
附表2-1 Ⅳ族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2-4 Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半導(dǎo)體材料的性質(zhì)
參考文獻(xiàn)