硅鍺的性質(zhì)

定　價(jià)：￥24.00

作　者：	暫缺
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	半導(dǎo)體技術(shù) 電子與通信

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ISBN：	9787118028836	出版時(shí)間：	2002-09-01	包裝：	精裝
開(kāi)本：	32開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	251	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　繼Si之后，SiGe／Si是研究得最多、最深入的一類(lèi)Si基異質(zhì)材料。應(yīng)變的和弛豫的SiGe已經(jīng)成為電子集成電路和光電子集成電路的非常重要的材料。《硅鍺的性質(zhì)》由31位來(lái)自德國(guó)、美國(guó)、加拿大、英國(guó)、日本等國(guó)Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)和應(yīng)用領(lǐng)域的教授們撰稿，是一本論述SiGe／Si知識(shí)的權(quán)威性專(zhuān)著?！豆桄N的性質(zhì)》共七章，第一章綜述了SiGe應(yīng)變層系統(tǒng)的一些總體性質(zhì)；第二章至第六章給出了應(yīng)變的和弛豫的SiGe合金的具體材料性質(zhì)，論述了SiGe材料的結(jié)晶學(xué)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、熱學(xué)性質(zhì)、力學(xué)和晶格振動(dòng)、能帶結(jié)構(gòu)、輸運(yùn)特性、磁學(xué)特性、表面性質(zhì)、光吸收和光譜等方面的內(nèi)容；第七章介紹了一些代表性的SiGe／Si器件的結(jié)構(gòu)和特性?！豆桄N的性質(zhì)》是半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)者和工程技術(shù)人員的必讀書(shū)，適于材料專(zhuān)業(yè)和半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)的科技人員、研究生、博士生閱讀，還可供物理領(lǐng)域中的廣大科技人員作為手冊(cè)進(jìn)行查閱。

作者簡(jiǎn)介

　　Erich Kasper（卡斯珀），自1994年以來(lái)一直擔(dān)任德國(guó)斯圖加特大學(xué)半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)，長(zhǎng)期從事量子電子器件的理論和納米結(jié)構(gòu)自組織的器件結(jié)構(gòu)MBE研究工作，在SiGe的研究領(lǐng)域具有很高的國(guó)際聲望，并有兩本專(zhuān)著和近百篇論文發(fā)表。

圖書(shū)目錄

第一章引言
　1.1 應(yīng)力引起的外延薄膜的形貌不穩(wěn)定性和成島
　1.2 SiGe／Si系統(tǒng)中失配位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)的平衡理論
　1.3 SiGe／Si系統(tǒng)中亞穩(wěn)應(yīng)變層的結(jié)構(gòu)
第二章結(jié)構(gòu)特性
　2.1 SiGe合金系的晶體結(jié)構(gòu)、晶格常數(shù)和固一液相圖
　2.2 SiGe合金的有序性
　2.3 Si／Ge界面：結(jié)構(gòu)、能量和互擴(kuò)散
第三章熱學(xué)、力學(xué)和晶格振動(dòng)學(xué)性質(zhì)
　3.1 SiGe的彈性常數(shù)
　3.2 SiGe的熱力學(xué)性質(zhì)
　3.3 SiGe中的光學(xué)聲子、聲學(xué)聲子和Raman光譜
第四章能帶結(jié)構(gòu)
　4.1 SiGe的能隙和能帶結(jié)構(gòu)及它們同溫度的依賴關(guān)系
　4.2 應(yīng)變對(duì)SiGe價(jià)帶結(jié)構(gòu)的影響
　4.3 應(yīng)變對(duì)SiGe導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)的影響
　4.4 SiGe中的有效質(zhì)量
　4.5 SiGe異質(zhì)結(jié)和帶偏移
　4.6 SiGe的光譜
　4.7 弛豫的SiGe合金的光學(xué)函數(shù)及應(yīng)變對(duì)光學(xué)函數(shù)的影響
第五章運(yùn)輸特性
　5.1 SiGe/Si 系中的電子和空穴的遷移率
　5.2 Si/SiGe 異質(zhì)結(jié)的注入
　5.3 SiGe/Si 結(jié)構(gòu)中的磁運(yùn)輸特性
第六章表面性質(zhì)
第七章 Si 基器件的結(jié)構(gòu)和重要數(shù)據(jù)集錦