化合物半導(dǎo)體材料與器件

第一章 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
1.1 能帶中一些符號的意義
1.2 Ge、Si、GaAs的能帶結(jié)構(gòu)
1.3 拋物線性能帶
1.4 非拋物線性能帶
1.5 無能隙半導(dǎo)體
主要參考文獻(xiàn)
第二章 載流子的瞬態(tài)輸運(yùn)過程
2.1 載流子的速度過沖(下沖)過程
2.2 載流子的彈道輸運(yùn)過程
主要參考文獻(xiàn)
第三章 二維電子氣
3.1 二維電子氣概念
3.2 二維電子氣的能量狀態(tài)
3.3 低電場下二維電子氣的遷移率
3.4 二維電子氣的光學(xué)性質(zhì)
3.5 強(qiáng)磁場中的二維電子氣
3.6 一維電子氣的特性
主要參考文獻(xiàn)
第四章 半導(dǎo)體超晶格
4.1 基本結(jié)構(gòu)
4.2 能帶結(jié)構(gòu)
4.3 超晶格振蕩與放大器件
4.4 超晶格的應(yīng)用舉例
4.5 諧振隧道二極管
4.6 諧振帶間隧道二極管
4.7 非晶半導(dǎo)體超晶格
4.8 半導(dǎo)體超晶格的無序化
主要參考文獻(xiàn)
第五章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
5.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的界面
5.2 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的能帶突變
5.3 熱平衡下異質(zhì)結(jié)的能帶圖
5.4 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的伏安特性
5.5 非晶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
5.6 Si/SiGe異質(zhì)結(jié)
主要參考文獻(xiàn)
第六章 高電子遷移率晶體管
6.1 HEMT的基本結(jié)構(gòu)和工作管理
6.2 基本特性
6.3 HEMT中2-DEG的遷移率和漂移速度
6.4 贗高電子遷移率晶體管(PHEMT)
6.5 HEMT集成電路
6.6 GaAs/AlGaAs類絕緣柵場效應(yīng)晶體管
主要參考文獻(xiàn)
第七章 異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
7.1 緩變發(fā)射結(jié)HBT
7.2 突變發(fā)射結(jié)HBT
7.3 緩變發(fā)射結(jié)、緩變基區(qū)HBT
7.4 突變發(fā)射結(jié)、緩變基區(qū)HBT
7.5 HBT的擴(kuò)散理論
7.6 AlxGa1-xAs/GaAs-HBT
7.7 其他結(jié)構(gòu)HBT舉例
7.8 非晶HBT
7.9 Si/Si1-xGex-HBT
7.10 異質(zhì)結(jié)雙極型熱電子晶體管
主要參考文獻(xiàn)
第八章 化合物半導(dǎo)體外延技術(shù)
8.1 液封Czochralski拉晶技術(shù)
8.2 半絕緣GaAs單晶質(zhì)量的改進(jìn)
8.3 分子束外延
8.4 金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積法(MOCVD)
8.5 原子束外延(ALE)
8.6 鹵素輸運(yùn)法
8.7 液相外延
主要參考文獻(xiàn)
第九章 化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷
9.1 常見雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷
9.2 熱處理效應(yīng)
9.3 II-VI族化合物半導(dǎo)體的摻雜問題
9.4 n型III-V族化合物半導(dǎo)體中的DX中心
9.5 GaAs/AlxGa1-xAs超晶格中的淺雜質(zhì)態(tài)
主要參考文獻(xiàn)
第十章 寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料及其異質(zhì)結(jié)
10.1 SiC材料、器件及應(yīng)用
10.2 GaN材料、異質(zhì)結(jié)與器件
主要參考文獻(xiàn)