半導體物理

第1章　量子力學初步
1.1　量子力學的誕生
1.2　物質(zhì)波
1.3　力學量算符與薛定諤方程
1.4　定態(tài)波函數(shù)
1.5　波函數(shù)的性質(zhì)
1.6　歸一化波函數(shù)
1.7 波函數(shù)的統(tǒng)計解釋——勞厄(Lauer)衍射公式
1.8　求解定態(tài)問題的步驟
1.9　定態(tài)問題實例
1.10　測不準原理
1.11　電子的自旋
1.12　簡諧微擾量子躍遷幾率
1.13　泡利不相容原理
第2章　半導體材料的成分與結(jié)構(gòu)
2.1　半導體材料的導電能力
2.2　半導體的晶體結(jié)構(gòu)
2.3　倒格矢
2.4　晶體結(jié)構(gòu)的測量
2.5　常見半導體的晶體結(jié)構(gòu)
第3章 晶體中電子的能帶
3.1　能級分裂與能帶的形成
3.2　量子力學處理
3.3　能帶圖的表示方法
3.4　晶體中電子的運動
3.5　電子的經(jīng)典近似
3.6　外力與波矢的關(guān)系
3.7 電子的加速度及有效質(zhì)量
3.8　能帶填充情況與電流
3.9　金屬、半導體、絕緣體
3.10　空穴
3.11　硅、鍺和砷化鎵的能帶特點
3.12　半導體材料中的雜質(zhì)和缺陷能級
3.13　化合物半導體中的雜質(zhì)能級
3.14　施主、受主的類氫模型
3.15　各種因素對禁帶寬度的影響
第4章　半導體中的電子統(tǒng)計分布
4.1　狀態(tài)密度
4.2　費米一狄拉克分布
4.3　本征半導體與非本征半導體
4.4　只含一種雜質(zhì)的半導體
4.5　飽和電離區(qū)的范圍
4.6　費米能級與摻雜濃度的關(guān)系
4.7　簡并半導體
4.8　雜質(zhì)補償
4.9　圖解法確定費米能級
第5章 　半導體中的電荷輸運現(xiàn)象
5.1 電導現(xiàn)象
5.2　晶格振動與聲子
5.3　一維雙原子品格的振動
5.4　三維晶體中的晶格振動
5.5　一維晶格原子振動的能量
5.6　聲子的統(tǒng)計分布
5.7　載流子的散射
5.8　多能谷下的電導率
第6章　半導體材料的物理現(xiàn)象
6.1 霍耳效應
6.2　磁電阻效應
6.3　半導體磁敏二極管
6.4 巨磁阻(GMR)與超巨磁阻(CMR)
6.5　表面光電壓
6.6　光磁電效應
6.7　耿氏效應
6.8　半導體的熱效應
6.9　熱導率
6.10　半導體的熱電、電熱效應
……
第7章　半導體材料的光學性質(zhì)
第8章　非平衡載流子
第9章　半導體中的接觸現(xiàn)象
第10章　半導體表面與界面
第11章　半導體電子器件
第12章　半導體光電器件
第13章　異質(zhì)結(jié)、量子阱和超晶格
第14章　低維系統(tǒng)中電子的狀態(tài)
參考文獻