半導(dǎo)體器件物理與工藝（第2版）

定　價(jià)：￥55.00

作　者：	（美）施敏（S.M.Sze）著；趙鶴鳴等譯
出版社：	蘇州大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

購買這本書可以去

ISBN：	9787810900157	出版時(shí)間：	2002-12-01	包裝：	平裝
開本：	26cm	頁數(shù)：	543	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的物理原理和先進(jìn)的工藝技術(shù)，它可以作為應(yīng)用物理、電機(jī)工程、電子工程和材料科學(xué)領(lǐng)域的本科學(xué)生的教材，也可以作為工程師和科學(xué)家們需要了解最新器件和技術(shù)發(fā)展的參考資料、首先，第1章對土要半導(dǎo)體器件和關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展作一個(gè)簡短的歷史回顧。接著，本書分為三個(gè)部分：第1部分（第2、3章）描述半導(dǎo)體的基本特性和它的傳導(dǎo)過程，尤其著重在硅和砷化鎵兩種最重要的豐導(dǎo)體材料上。第l部分的概念將在本書接下來的部分被用到，了解這些概念需要現(xiàn)代物理和微積分的基本知識(shí)。第2部分（第4-9章）討論所有土要半導(dǎo)體器件的物理過程和特性。由對大部分半導(dǎo)體器件而言最關(guān)鍵的p-n結(jié)開始，接下來討論雙極型和場效應(yīng)器件。最后討論微波、量子效應(yīng)、熱電子和光電子器件。第3部分（第10-14章）則介紹從晶體生長到摻雜等工藝技術(shù)。我們介紹了制作器件時(shí)的各個(gè)主要步驟，包含理論和實(shí)際情況，并特別強(qiáng)調(diào)其在集成電路土的壓用。

作者簡介

暫缺《半導(dǎo)體器件物理與工藝（第2版）》作者簡介

圖書目錄

第1章　簡介
1.1　半導(dǎo)體器件
1.2　半導(dǎo)體工藝技術(shù)
總結(jié)
參考史獻(xiàn)
第1部分　半導(dǎo)體物理
第2章　熱平衡時(shí)的能帶和載流于濃度
2.1　半導(dǎo)體捌料
2.2　基本晶體結(jié)構(gòu)
2.3　基本晶體生長技術(shù)
2.4　共價(jià)健
2.5　能帶
2.6　本征載流子濃度
2.7　施主與受主
總結(jié)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第3章　載流子輸運(yùn)現(xiàn)象
3.1　載流子漂移
3.2　載流子擴(kuò)散
3.3　產(chǎn)生與復(fù)合過程
3.4　連續(xù)性方程斌
3.5　熱電子發(fā)射過程
3.6　隧穿過程
3.7　強(qiáng)電場效應(yīng)
總結(jié)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第2部分　半導(dǎo)體器件
第4章　p-n結(jié)
4.1　基本工藝步驟
4.2　熱平衡狀態(tài)
4.3　耗盡區(qū)
4.4　耗盡層勢壘電容
4.5　電流-電壓特性
4.6　電荷儲(chǔ)存與暫態(tài)響應(yīng)
4.7　結(jié)擊穿
4.8　異質(zhì)結(jié)
總結(jié)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第5章　雙極型晶體管及相關(guān)器件
5.1　晶體管的工作原理
5.2　雙極型晶體管的靜態(tài)特性
5.1　雙極型晶體管的頻率響應(yīng)與開關(guān)特性
5.4　異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
5.5　可控砟器件及相關(guān)功率器件
總結(jié)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第6章　M0SFET及相關(guān)器件
6.1　MOS二極管
6.2　MOSFET基本原理
6.3　MOSFET按比例縮小
6.4　CMOS與雙極型CMoS（BiCMOS）
6.5　絕緣層上MOSPET（SOI）
6.6　MOS存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
6.7　功率M05FET
總結(jié)
參號(hào)文獻(xiàn)
習(xí)題
第7章　MEsFET及相關(guān)器件
7.1　金屬-半導(dǎo)體接觸
7.2　金十場效應(yīng)晶體管（MESFET）
7.3　調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管
總結(jié)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第8章　微波二極管、量子效應(yīng)和熱電子器件
8.1　基奉微波技術(shù)
8.2　隧道二極管
8.3　碰撞電離雪崩渡越時(shí)間二極管
……
第9章　光電器件
第3部分　半導(dǎo)體工藝
第10章　晶體長生外延
第11章　薄膜淀積
第12章　圖形曝光與刻蝕
第13章　雜質(zhì)摻雜
第14章　集成器件
附表
索引