鐵電存儲(chǔ)器

定　價(jià)：￥45.00

作　者：	（英）James.F.Scott著；朱勁松，呂笑梅，朱旻譯
出版社：	清華大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	鐵電材料

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ISBN：	9787302090144	出版時(shí)間：	2004-09-01	包裝：	平裝
開本：	24cm	頁數(shù)：	264	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　鐵電存儲(chǔ)器是近10余年研究出的一種重量輕、抗輻照、存取速度快、壽命長(zhǎng)、功耗低的新型存儲(chǔ)器，有極好的應(yīng)用前景。本書是此領(lǐng)域的第一本專著，內(nèi)容包括鐵電基礎(chǔ)知識(shí)，鐵電存儲(chǔ)器件的設(shè)計(jì)、工藝、檢測(cè)、存儲(chǔ)物理有關(guān)的問題（擊穿、漏電流、開關(guān)機(jī)制、疲勞）以及鐵電存儲(chǔ)器件的應(yīng)用。全書引用了550篇文獻(xiàn)，概括了2000年之前人類在該領(lǐng)域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本書內(nèi)容新穎、實(shí)用，既有理論又有應(yīng)用（側(cè)重前者）?？晒┘呻娐饭こ處?、器件物理學(xué)家參考，也可以作為應(yīng)用物理和工程類專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教學(xué)參考書。

作者簡(jiǎn)介

　　Prof.Scott就學(xué)于美國哈佛大學(xué)和俄贏亥俄州大學(xué)，畢業(yè)后在Bell電話實(shí)驗(yàn)室量子電子部工作了六年。他曾是美國Colorado大學(xué)教授（1971-1992），隨后在澳大利亞墨爾本和悉尼工作七年，任新南威爾士大學(xué)理學(xué)院院長(zhǎng)。1999年起他成為英國劍橋大學(xué)鐵性材料研究的教授。Scott教授在科不雜志上已發(fā)表論文400余篇，是5本書的著作或共著者。他是美國物理學(xué)會(huì) Fellow，并且從德國得到高級(jí)Humboldt獎(jiǎng)（1997-1998），從日本得到Monkasho獎(jiǎng)（2001），在莫斯科得到名譽(yù)博士學(xué)位（2003）。他是美國Symetrix公司的創(chuàng)始人之一，并任該公司的指導(dǎo)委員會(huì)主席。1997年他曾以科學(xué)訪問教授身份服務(wù)于日本 Sony公司。

圖書目錄

1  導(dǎo)  言
  1.1  鐵電體的基本性質(zhì)：體材料
  1.1.1  朗道—德馮謝亞理論
  1.1.2  軟模理論
  1.1.3  臨界指數(shù)
  1.1.4  三臨界點(diǎn)
  1.1.5  無公度鐵電體和ANNNI模型
  1.2  鐵電薄膜：退極化場(chǎng)和有限尺寸效應(yīng)
  1.2.1  小顆粒..
2  RAM的基本性質(zhì)
  2.1  系統(tǒng)設(shè)計(jì)
  2.2  實(shí)際器件
  2.3  測(cè)試
  2.3.1  脈沖壩fJ試
  2.3.2  i(t)瞬態(tài)電流
  2.3.3  漏電流測(cè)試
  2.3.4  保持測(cè)試
  2.3.5  Ep記測(cè)試
  2.3.6  電容—電壓關(guān)系C(y)測(cè)試
3  DRAM和NV-RAM的電擊穿
  3.1  熱擊穿機(jī)制
  3.2  Von Hippel方程
  3.3  枝晶狀擊穿
  3.4  擊穿電壓不對(duì)稱和漏電流不對(duì)稱
4  漏電流
  4.1  Schottky發(fā)射
  4.2  鐵電薄膜Schottky理論的修正
  4.3  電荷注入
  4.4  空間電荷限制電流SCLC
  4.5  負(fù)電阻率
5  電容·電壓關(guān)系C(y)
  5.1  支持薄耗盡層的方面
  5.1.1  Richardson系數(shù)A一
  5.1.2  Schottky勢(shì)壘高度對(duì)電子親和勢(shì)的依賴
  5.1.3  出現(xiàn)在Schottky方程中的介電常數(shù)
  5.1.4  Schottky修正的SCLC理論
  5.1.5  空間電荷限制電流
  5.2  支持完全耗盡薄膜的論據(jù)
  5.3  Zuleeg-Dey模型
  5.4  混合模型
  5.5  基于XPS的能帶結(jié)構(gòu)匹配關(guān)系
  5.6  離子空間電荷限制電流
6  開關(guān)動(dòng)力學(xué)
7  電荷注入和疲勞
  7.1  Dawber模型
  7.2  鈣鈦礦鐵電體中氧空位有序的疲勞機(jī)制
8  頻率依賴
  8.1  1shibashi—Orihara理論
  8.2  界面效應(yīng)
9  制備過程中的相序
  9.1  Sr缺損的優(yōu)化薄膜
  9.2  Bi元素的作用
10  SBT族Aurivillius相層狀結(jié)構(gòu)
  10.1  RBS研究
  10.2  重離子束研究
  10.3  表面科學(xué)技術(shù)(XPS，UPS)
11  淀積和工藝
  11.1  溶膠—凝膠旋涂淀積
  11.2  濺射
  11.3  金屬—有機(jī)化學(xué)汽相淀積MOCVD’
  11.4  脈沖激光淀積PLD
  11.5  金屬—有機(jī)分解MOD
  11.6  分子束外延MBE
12  非破壞性讀出器件
  12.1  鐵電場(chǎng)效應(yīng)管(FET)
13  基于超導(dǎo)體的鐵電器件：相控陣?yán)走_(dá)和
  IOGHz一100GHz器件
14  薄膜黏結(jié)
15  電子發(fā)射和平面顯示器
“  光學(xué)器件
17  納米相器件
  17.1  刻蝕
  17.2  表面液滴外延
  17.3  利用Ei表面液滴優(yōu)化SBT的化學(xué)配比
  17.4  邊緣場(chǎng)
  17.5  鈦酸鉍
18  缺點(diǎn)和不足
  18.1  高制備溫度
  18.2  毒性
  18.3  表面和界面現(xiàn)象
  18.4  半選擇干擾脈沖
  18.5  疲勞
  18.6  印記
  18.7  尺度
  18.8  短期瞬態(tài)電流
  18.9  擊穿
  18.10  漏電流
  18.11  抗輻照強(qiáng)度
  18.12  前景
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
索引