半導體物理

第一章　晶態(tài)半導體中的電子能量狀態(tài)
　§1.1　在一維周期性勢場中運動的電子波函數(shù)
　§1.2　在一維周期性勢場中運動電子的能量狀態(tài)——Kronig-Penney模型
　§1.3　緊束縛近似的能帶表述和有效質(zhì)量
　§1.4　在三維周期性勢場中運動的電子波函數(shù)與能量狀態(tài)
　§1.5　半導體的能帶、滿帶、導帶和能隙
　§1.6　半導體中電子的速度與加速度以及空穴的概念
　§1.7　半導體中的雜質(zhì)能級，n型與p型半導體
　§1.8　回旋共振與半導體的復雜能帶
第二章　半導體電子和空穴的平衡態(tài)統(tǒng)計分布
　§2.1　狀態(tài)密度
　§2.2　費米分布函數(shù)和載流子密度的一般公式
　§2.3　非簡并情況下的費米能級和載流子密度
　§2.4　雜質(zhì)補償
　§2.5　重摻簡并
第三章　半導體的輸運現(xiàn)象
　§3.1　電導率與玻爾茲曼方程
　§3.2　載流子的散射機構(gòu)
　§3.3　遷移率與溫度的關系
　§3.4　熱載流子
　§3.5　電子的谷間轉(zhuǎn)移及Gunn效應
　§3.6　霍爾效應
　§3.7　磁阻
　§3.8　熱電效應
第四章　外界作用引起額外載流子的行為
　§4.1　額外載流子的注入與復合
　§4.2　復合過程
　§4.3　陷阱作用
　§4.4　介電弛豫時間
　§4.5　少子擴散
　§4.6　漂移-擴散-復合方程及其解
　§4.7　穩(wěn)態(tài)建立過程中的少子運動
　§4.8　雙極擴散與丹倍電場
　§4.9　光磁效應
　§4.10　光致pn結(jié)非平衡
第五章　半導體表面與界面
　§5.1　半導體清潔表面的原子結(jié)構(gòu)及表面電子態(tài)
　§5.2　研究清潔表面的主要實驗方法
　§5.3　真實表面的si-SiO2界面結(jié)構(gòu)
　§5.4　si—siO2界面的表面勢
　§5.5　研究半導體和絕緣體界面的MOS電容法
第六章　金屬一半導體接觸、pn結(jié)、異質(zhì)結(jié)、量子阱及超晶格
　§6.1　金屬一半導體接觸的勢壘模型
　§6.2　接觸勢壘的整流理論
　§6.3　金屬一半導體二極管的電流特性
　§6.4　勢壘高度的測量
　§6.5　pn結(jié)
　§6.6　異質(zhì)結(jié)
　§6.7　量子阱與二維電子氣
　§6.8　多量子阱與超晶格
第七章　半導體光譜
　§7.1　介電響應的宏觀理論
　§7.2　半導體自由載流子和晶格振動的光響應
　§7.3　半導體電子帶間本征躍遷的量子理論
　§7.4　激子狀態(tài)和激子吸收光譜
　§7.5　雜質(zhì)吸收光譜
　§7.6　半導體的發(fā)光光譜
　§7.7　半導體的調(diào)制光譜
　§7.8　拉曼散射和半導體的共振拉曼散射光譜
　§7.9　半導體量子阱和超晶格的光譜
附錄1.1　絕熱近似與單電子近似
附錄1.2　晶體中電子的速度
附錄1.3　有效質(zhì)量近似
附錄3.1　多能谷旋轉(zhuǎn)橢球面導帶結(jié)構(gòu)半導體的電子電導率計算