化合物半導體探測器及其應(yīng)用

     目錄
   第一章 化合物半導體和在室溫下工作的化合物
    半導體探測器
    1.1化合物半導體
    1.2化合物半導體與元素半導體Si、Ge間的差別及特點
    1.2.1化學鍵
    1.2.2晶體結(jié)構(gòu)
    1.2.3雜質(zhì)、缺陷和化學比
    1.3制備核輻射探測器對化合物半導體材料的要求
    1.4幾種常用的半導體材料的性能參數(shù)
    1.5半導體核輻射探測器的分類和在室溫下工作的半導體核輻射探測器的現(xiàn)狀
    1.5.1半導體核輻射探測器的分類
    1.5.2可在室溫下工作的半導體XΥ射線探測器的現(xiàn)狀
    參考文獻
   第二章 砷化鎵（GaAs）核輻射探測器
    2.1GaAs核輻射探測器的發(fā)展與現(xiàn)狀
    2.2GaAs核輻射探測器的制備與性能
    2.2.1用于制備核輻射探測器的GaAs單晶
    2.2.2GaAs核輻射探測器的制備和種類
    2.2.3GaAs表面勢壘型核輻射探測器的I－V和C－V特性
    2.2.4GaAs核輻射探測器的能譜特性
    參考文獻
   第三章 碲化鎘（CdTe） 核輻射探測器
    3.1CdTe核輻射探測器的發(fā)展與現(xiàn)狀
    3.2CdTe核輻射探測器的制備與性能
    3.2.1用于CdTe核輻射探測器的CdTe單晶的生長和晶體中的主要缺陷
    3.2.2CdTe核輻射探測器的種類和它的制備工藝
    3.2.3CdTe核輻射探測器的I－V特性
    3.2.4CdTe核輻射探測器的能譜特性和性能數(shù)據(jù)
    參考文獻
   第四章 碘化汞（HgI2）核輻射探測器
    4.1引言
    4.2用于核輻射探測器的HGI2單晶材料
    4.3HgI2核輻射探測器的制備與性能
    4.3.1HgI2核輻射探測器的制備
    4.3.2HgI2核輻射探測器的I－V和C－V特性
    4.3.3HgI2核輻射探測器的能譜特性
    參考文獻
   第五章 化合物半導體探測器的應(yīng)用
    5.1引言
    5.2在能譜測量中的應(yīng)用
    5.3在核醫(yī)學（醫(yī)用探針和骨密度儀）中的應(yīng)用
    5.3.1用于腫瘤定位的外科手術(shù)探針
    5.3.2骨密度儀
    5.3.3便攜式區(qū)域性腦血流量實時分析系統(tǒng)
    5.3.4核醫(yī)學醫(yī)療劑量測定儀
    5.3.5核醫(yī)學手術(shù)刀——Υ射線刀（簡稱Υ刀）
    5.4在高能CT技術(shù)中的應(yīng)用
    5.5在粒子物理學中的應(yīng)用
    5.6在劑量測量中的應(yīng)用
    5.6.1在核電站監(jiān)控中的應(yīng)用
    5.6.2在核輻射劑量測量中的應(yīng)用
    5.7在核廢物處理中的應(yīng)用
    5.8在空間物理學和天體物理學中的應(yīng)用
    5.8.1用于SovietMars任務(wù)中的X射線儀器
    5.8.2在天體物理學中的應(yīng)用
    5.9在X射線閃光輻射照相和數(shù)字式照相中的應(yīng)用
    5.10在皮秒X、Υ射線快速脈沖診斷中的應(yīng)用
    5.11在采煤工業(yè)中的應(yīng)用
    5.12在Υ射線成像技術(shù)中的應(yīng)用
   參考文獻