半導(dǎo)體激光器

第1章半導(dǎo)體激光器的物理基礎(chǔ)
1.1晶體結(jié)構(gòu).能帶和雜質(zhì)能級(jí)
1.1.1晶體結(jié)構(gòu)
1.1.2能帶的形成
1.1.3直接帶隙與間接帶隙
1.1.4雜質(zhì)能級(jí)
1.1.5能帶尾態(tài)
1.2半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布及輸運(yùn)
1.2.1熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體中的載流子
1.2.2非平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體中的載流子
1.2.3非平衡載流子的輸運(yùn)
1.3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
1.3.1突變pN異質(zhì)結(jié)
1.3.2突變同型異質(zhì)結(jié)
1.3.3異質(zhì)結(jié)的主要性質(zhì)
第2章光子與半導(dǎo)體中載流子的相互作用
2.1半導(dǎo)體內(nèi)的量子躍遷
2.1.1半導(dǎo)體內(nèi)量子躍遷的過程
2.1.2半導(dǎo)體內(nèi)量子躍遷的特點(diǎn)
2.2光子密度與能量分布函數(shù)
2.3躍遷速率與愛因斯坦(Einstein)關(guān)系
2.3.1自發(fā)光發(fā)射躍遷
2.3.2受激光發(fā)射躍遷
2.3.3受激光吸收躍遷
2.3.4愛因斯坦關(guān)系
2.4自發(fā)發(fā)射.受激發(fā)射與受激吸收間的關(guān)系
2.4.1凈受激發(fā)射速率
2.4.2吸收系數(shù)
2.4.3自發(fā)發(fā)射速率與吸收系數(shù)的關(guān)系
2.4.4自發(fā)發(fā)射速率與受激發(fā)射速率的關(guān)系
2.5躍遷矩陣元.躍遷幾率
2.5.1含時(shí)間的微擾理論
2.5.2微擾算符
2.5.3躍遷矩陣元與躍遷幾率
2.6半導(dǎo)體中總的受激發(fā)射速率
2.7半導(dǎo)體中的載流子復(fù)合
2.7.1輻射復(fù)合
2.7.2非輻射復(fù)合
第3章半導(dǎo)體激光器的工作原理
3.1粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布與光增益
3.2閾值條件和增益分布
3.2.1閾值增益
3.2.2增益譜計(jì)算
3.2.3增益系數(shù)與電流密度的關(guān)系
3.2.4增益飽和
3.3半導(dǎo)體激光器的模式理論
3.3.1激光二極管中的波動(dòng)方程
3.3.2電學(xué)常數(shù)與光學(xué)常數(shù)
3.3.3電磁輻射的TE模與TM模
3.3.4對(duì)稱三層介質(zhì)平板波導(dǎo)
3.3.5圖解
3.3.6不對(duì)稱三層介質(zhì)平板波導(dǎo)
3.3.7模截止條件
3.4限制因子
3.5導(dǎo)波有源層中導(dǎo)波機(jī)理的分類
3.6垂直于PN結(jié)平面的波導(dǎo)效應(yīng)
3.7模式選擇
3.8矩形介質(zhì)波導(dǎo)
第4章FP腔半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)及特性
4.1結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
4.2FP腔寬接觸DH激光器
4.2.1閾值電流密度
4.2.2半導(dǎo)體激光器的效率
4.2.3半導(dǎo)體激光器的遠(yuǎn)場(chǎng)特性
4.2.4光譜特性
4.3條形激光器介紹
4.4條形激光器的理論分析
4.4.1電流擴(kuò)展
4.4.2載流子擴(kuò)散
4.4.3光增益
4.4.4平面結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)波效應(yīng)
4.4.5非平面結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)波效應(yīng)
4.4.6光功率(P)-電流(I(xiàn))特性
4.5增益導(dǎo)引激光器
4.6折射率導(dǎo)引激光器
4.6.1弱折射率導(dǎo)引激光器
4.6.2強(qiáng)折射率導(dǎo)引激光器
第5章半導(dǎo)體激光器的動(dòng)態(tài)特性
5.1速率方程
5.1.1速率方程的穩(wěn)態(tài)解
5.2接通延遲
5.3弛豫振蕩
5.4自持脈沖
5.5光譜線寬
5.6調(diào)制特性
5.6.1速率方程
5.6.2小信號(hào)正弦波強(qiáng)度調(diào)制
5.6.3大信號(hào)效應(yīng)和脈碼調(diào)制
5.6.4高頻調(diào)制下的受激發(fā)射光譜
5.7噪聲特性
5.7.1強(qiáng)度調(diào)制噪聲
5.7.2頻率調(diào)制噪聲
5.7.3其他噪聲源
第6章分布反饋式半導(dǎo)體激光器與分布布拉格反射式半導(dǎo)體激光器
6.1概念的提出
6.1.1簡(jiǎn)要回顧
6.2理論分析
6.3具有均勻光柵的DFBLD
6.4λ/4相移的DFBLD
6.5增益耦合DFBLD
6.6DBR激光器
6.7工作特性
6.7.1溫度與電流注入特性
6.7.2光譜及線寬
6.7.3偏振選擇性
6.7.4動(dòng)態(tài)單模與啁啾
6.8制造技術(shù)
6.9光柵制造
6.10波長(zhǎng)可調(diào)諧激光器
6.10.1調(diào)諧基本原理
6.10.2影響調(diào)諧范圍的因素
6.10.3擴(kuò)大調(diào)諧范圍的措施
6.11近期進(jìn)展
6.11.1高速激光器
6.11.2窄線寬激光器
6.11.3光柵面發(fā)射激光器
第7章其他半導(dǎo)體激光器
7.1可見光半導(dǎo)體激光器
7.1.1InGaAlP激光器的結(jié)構(gòu)及性能
7.2半導(dǎo)體藍(lán).綠光激光器
7.2.1SiC材料激光器
7.2.2Ⅲ族元素氮化物激光器
7.2.3ⅣⅥ族藍(lán)綠光激光器
7.3中.遠(yuǎn)紅外半導(dǎo)體激光器
7.3.1ⅢⅤ族化合物半導(dǎo)體
7.3.2ⅡⅥ族化合物半導(dǎo)體
7.3.3ⅣⅥ族化合物半導(dǎo)體
7.4垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)
7.4.1引言
7.4.2歷史簡(jiǎn)要回顧
7.4.3VCSEL結(jié)構(gòu)
7.4.4VCSEL的制造
7.4.5激光器陣列
7.4.6VCSEL特性
7.5VCSEL陣列
7.5.1多波長(zhǎng)陣列
7.5.2獨(dú)立可尋址(Addressable)陣列
7.5.3高速多波長(zhǎng)陣列
7.5.4長(zhǎng)波長(zhǎng)VCSEL
7.5.5可見光VCSEL
第8章量子阱半導(dǎo)體激光器
8.1引言
8.2量子阱.超晶格物理基礎(chǔ)
8.2.1半導(dǎo)體超晶格
8.2.2量子阱中電子的能量狀態(tài)
8.2.3二維電子氣的臺(tái)階狀態(tài)密度分布
8.2.4量子阱中的激子效應(yīng)
8.2.5量子阱中載流子的能量分布
8.3量子阱激光器工作原理
8.3.1量子阱中載流子的收集與復(fù)合
8.3.2注入電流與增益
8.3.3增益與量子阱厚度的關(guān)系
8.4量子阱激光器的結(jié)構(gòu)與特性
8.4.1量子阱激光器的結(jié)構(gòu)
8.4.2量子阱激光器的基本特性
8.5應(yīng)變量子阱激光器
8.5.1晶格失配與應(yīng)變
8.5.2臨界厚度
8.5.3應(yīng)變量子阱的能帶結(jié)構(gòu)
8.5.4應(yīng)變量子阱激光器的增益特性
8.5.5應(yīng)變量子阱激光器
8.6新型量子阱激光器
8.6.1低維超晶格——量子線.量子點(diǎn)激光器
8.6.2量子級(jí)聯(lián)激光器
第9章半導(dǎo)體激光放大器(SLA)及其應(yīng)用
9.1引言
9.2增益特性
9.2.1增益譜和帶寬
9.2.2增益飽和
9.2.3放大器噪聲
9.3放大器的設(shè)計(jì)
9.3.1FP放大器
9.3.2行波放大器
9.4放大器的特性
9.4.1放大器帶寬
9.4.2飽和功率
9.4.3噪聲因子
9.4.4偏振靈敏性
9.5多量子阱放大器
9.6SLA的應(yīng)用
9.6.1光通信系統(tǒng)中的應(yīng)用
9.6.2高功率應(yīng)用
9.6.3脈沖放大
9.6.4光子開關(guān)
9.6.5波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器
9.6.6波長(zhǎng)可調(diào)諧濾波器
第10章半導(dǎo)體激光器列陣(SLDA)及光電子集成(OEIC)
10.1引言
10.2耦合模理論
10.2.1耦合模方程
10.2.2多波導(dǎo)系統(tǒng)內(nèi)的模耦合
10.2.3耦合模理論的改進(jìn)
10.2.4耦合模理論應(yīng)用的限制
10.3折射率導(dǎo)引列陣
10.3.1基本結(jié)構(gòu)
10.3.2均勻列陣
10.4增益導(dǎo)引列陣
10.4.1基本結(jié)構(gòu)
10.4.2均勻列陣
10.5增強(qiáng)模的選擇機(jī)制
10.5.1高階模的截止
10.5.2由近間隔反波導(dǎo)組成的列陣
10.6應(yīng)用簡(jiǎn)介
10.7光電子集成回路(OEIC)及光子集成回路(PIC)
10.7.1多段DBR可調(diào)諧激光器
10.7.2激光器與調(diào)制器或放大器的集成
10.8集成激光器發(fā)射組件
10.8.1OEIC的結(jié)構(gòu)
10.8.2集成LD發(fā)射組件
10.8.3光電子集成的發(fā)展趨勢(shì)
第11章半導(dǎo)體激光器的材料.工藝及可靠性
11.1半導(dǎo)體激光器的材料
11.1.1GaAs及其三元化合物
11.1.2InP及其三元.四元化合物
11.2ⅢⅤ族化合物的外延生長(zhǎng)
11.2.1液相外延(LPE)
11.2.2金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)
11.2.3分子束外延(MBE)
11.2.4化學(xué)分子束外延(CBE)
11.3半導(dǎo)體外延材料的性能檢測(cè)
11.3.1半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)顯示
11.3.2異質(zhì)結(jié)晶格匹配度的測(cè)定
11.3.3光熒光測(cè)量
11.4半導(dǎo)體激光器的制造工藝
11.4.1引言
11.4.2化合物半導(dǎo)體中的摻雜擴(kuò)散
11.4.3化學(xué)腐蝕
11.5歐姆接觸
11.6后步工藝
11.7半導(dǎo)體激光器的可靠性
第12章半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用
12.1光纖通信
12.1.1速率要求
12.1.2光譜和功率的要求
12.1.3相干光通信
12.1.4多信道系統(tǒng)
12.1.5其他附加考慮
12.2半導(dǎo)體激光器與光纖的耦合
12.3光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)——光盤技術(shù)
12.3.1引言
12.3.2光盤的數(shù)據(jù)讀出
12.3.3用于光寫入的半導(dǎo)體激光器
12.3.4光反饋的影響?yīng)í?br />12.3.5小結(jié)
12.4激光二極管泵浦的固體激光器(DPSL)
12.4.1引言
12.4.2激光二極管的泵浦方式
12.4.3激光增益晶體
12.4.4泵浦用半導(dǎo)體激光器及列陣
12.5半導(dǎo)體激光器的其他應(yīng)用
12.5.1軍事方面的應(yīng)用
12.5.2激光打印
12.5.3原子物理中的應(yīng)用
附錄英語(yǔ)縮略詞英-漢對(duì)照表